四川大学学报（自然科学版）
四川大學學報（自然科學版）
사천대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF SICHUAN UNIVERSITY（NATURAL SCIENCE EDITION）
2012年
1期
211-215
,共5页
伏秦超%刘超%何铃娟%鲍锦库
伏秦超%劉超%何鈴娟%鮑錦庫
복진초%류초%하령연%포금고
黑豆凝集素Ⅰ%荧光淬灭%微环境
黑豆凝集素Ⅰ%熒光淬滅%微環境
흑두응집소Ⅰ%형광쉬멸%미배경
用KI、CsCl和丙烯酰胺对黑豆(Glycine max var.)凝集素Ⅰ(GMLⅠ)进行内源荧光淬灭研究.天然黑豆凝集素Ⅰ在280 nm波长激发下显示λmax为339 nm的内源荧光发射光谱,表明凝集素荧光生色基团位于相对疏水的环境中；3种淬灭剂对GMLⅠ的荧光淬灭属于动态淬灭机制.GMLⅠ分子的生色基团Trp残基对中性淬灭剂丙烯酰胺的可接近程度为100％,而对阴离子淬灭剂KI的可接近程度为81.6％,对阳离子淬灭剂CsCl的可接近程度为52.8％,表明GMLⅠ中大部分Trp残基位于分子表面或近表面,只有小部分包埋于分子内部的疏水性环境中,并且Trp残基周围所处微环境带正电荷的比例比带负电荷的比例高.
用KI、CsCl和丙烯酰胺對黑豆(Glycine max var.)凝集素Ⅰ(GMLⅠ)進行內源熒光淬滅研究.天然黑豆凝集素Ⅰ在280 nm波長激髮下顯示λmax為339 nm的內源熒光髮射光譜,錶明凝集素熒光生色基糰位于相對疏水的環境中；3種淬滅劑對GMLⅠ的熒光淬滅屬于動態淬滅機製.GMLⅠ分子的生色基糰Trp殘基對中性淬滅劑丙烯酰胺的可接近程度為100％,而對陰離子淬滅劑KI的可接近程度為81.6％,對暘離子淬滅劑CsCl的可接近程度為52.8％,錶明GMLⅠ中大部分Trp殘基位于分子錶麵或近錶麵,隻有小部分包埋于分子內部的疏水性環境中,併且Trp殘基週圍所處微環境帶正電荷的比例比帶負電荷的比例高.
용KI、CsCl화병희선알대흑두(Glycine max var.)응집소Ⅰ(GMLⅠ)진행내원형광쉬멸연구.천연흑두응집소Ⅰ재280 nm파장격발하현시λmax위339 nm적내원형광발사광보,표명응집소형광생색기단위우상대소수적배경중；3충쉬멸제대GMLⅠ적형광쉬멸속우동태쉬멸궤제.GMLⅠ분자적생색기단Trp잔기대중성쉬멸제병희선알적가접근정도위100％,이대음리자쉬멸제KI적가접근정도위81.6％,대양리자쉬멸제CsCl적가접근정도위52.8％,표명GMLⅠ중대부분Trp잔기위우분자표면혹근표면,지유소부분포매우분자내부적소수성배경중,병차Trp잔기주위소처미배경대정전하적비례비대부전하적비례고.
