光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2004年
1期
25-28
,共4页
林志浪%程新利%王永进%张峰
林誌浪%程新利%王永進%張峰
림지랑%정신리%왕영진%장봉
注入氧隔离(SIMOX)%化学气相沉积%脊型光波导%集成光学
註入氧隔離(SIMOX)%化學氣相沉積%脊型光波導%集成光學
주입양격리(SIMOX)%화학기상침적%척형광파도%집성광학
以注入氧隔离(SIMOX)技术制备的SOI(silicon-on-insulator)为衬底,利用气相外延生长技术获得了质量良好的厚膜SOI材料,进而通过反应离子刻蚀方法在厚膜SOI材料上成功研制了SIMOX大截面单模脊型光波导.对于波长为1.55 μm的光,其传输损耗小于0.6 dB/cm.
以註入氧隔離(SIMOX)技術製備的SOI(silicon-on-insulator)為襯底,利用氣相外延生長技術穫得瞭質量良好的厚膜SOI材料,進而通過反應離子刻蝕方法在厚膜SOI材料上成功研製瞭SIMOX大截麵單模脊型光波導.對于波長為1.55 μm的光,其傳輸損耗小于0.6 dB/cm.
이주입양격리(SIMOX)기술제비적SOI(silicon-on-insulator)위츤저,이용기상외연생장기술획득료질량량호적후막SOI재료,진이통과반응리자각식방법재후막SOI재료상성공연제료SIMOX대절면단모척형광파도.대우파장위1.55 μm적광,기전수손모소우0.6 dB/cm.
