电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2004年
10期
30-32
,共3页
李斌%李观启%黄美浅%刘玉荣%陈平
李斌%李觀啟%黃美淺%劉玉榮%陳平
리빈%리관계%황미천%류옥영%진평
电子技术%钛酸钡薄膜%湿敏%光敏%热敏%薄膜厚度
電子技術%鈦痠鋇薄膜%濕敏%光敏%熱敏%薄膜厚度
전자기술%태산패박막%습민%광민%열민%박막후도
利用氩离子束溅射技术,分别在SiO2/Si衬底上淀积了0.5 μm、1μm和2μm的Ba1-xLaxNbyTi1-yO3薄膜,并探讨了薄膜厚度对MIS电容湿敏特性的影响以及薄膜厚度对薄膜电阻的光敏和热敏特性的影响.实验结果表明:0.5μm膜厚的MIS电容传感器具有比2μm膜厚的MIS电容传感器高9倍的湿敏灵敏度.用孔隙率和孔径分布物理模型分析得出,薄膜越薄,膜的孔隙率越高,器件的湿敏灵敏度越高.反之,薄膜越厚,光吸收越强,薄膜电阻的光敏灵敏度越高;但薄膜厚度对薄膜电阻热敏特性的影响甚微,敏感机理与薄膜的微观结构可解释这些现象.
利用氬離子束濺射技術,分彆在SiO2/Si襯底上澱積瞭0.5 μm、1μm和2μm的Ba1-xLaxNbyTi1-yO3薄膜,併探討瞭薄膜厚度對MIS電容濕敏特性的影響以及薄膜厚度對薄膜電阻的光敏和熱敏特性的影響.實驗結果錶明:0.5μm膜厚的MIS電容傳感器具有比2μm膜厚的MIS電容傳感器高9倍的濕敏靈敏度.用孔隙率和孔徑分佈物理模型分析得齣,薄膜越薄,膜的孔隙率越高,器件的濕敏靈敏度越高.反之,薄膜越厚,光吸收越彊,薄膜電阻的光敏靈敏度越高;但薄膜厚度對薄膜電阻熱敏特性的影響甚微,敏感機理與薄膜的微觀結構可解釋這些現象.
이용아리자속천사기술,분별재SiO2/Si츤저상정적료0.5 μm、1μm화2μm적Ba1-xLaxNbyTi1-yO3박막,병탐토료박막후도대MIS전용습민특성적영향이급박막후도대박막전조적광민화열민특성적영향.실험결과표명:0.5μm막후적MIS전용전감기구유비2μm막후적MIS전용전감기고9배적습민령민도.용공극솔화공경분포물리모형분석득출,박막월박,막적공극솔월고,기건적습민령민도월고.반지,박막월후,광흡수월강,박막전조적광민령민도월고;단박막후도대박막전조열민특성적영향심미,민감궤리여박막적미관결구가해석저사현상.
