人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2006年
6期
1341-1345
,共5页
许荣辉%汪勇先%贾广强%徐万帮%尹端沚
許榮輝%汪勇先%賈廣彊%徐萬幫%尹耑沚
허영휘%왕용선%가엄강%서만방%윤단지
CdS纳米晶%荧光增强%稳定化处理%介质极性%蓝移
CdS納米晶%熒光增彊%穩定化處理%介質極性%藍移
CdS납미정%형광증강%은정화처리%개질겁성%람이
用硫脲、聚乙烯吡咯烷酮、L-半胱氨酸水溶液对水热法合成的硫化镉纳米晶进行稳定化处理,发现L-半胱氨酸和聚乙烯吡咯烷酮(PVP)能有效地稳定硫化镉纳米晶,荧光发射强度比处理前增强了五十倍以上.以氯仿、氧化三(正)辛基膦(TOPO)氯仿溶液以及3-巯基丙酸为萃取(或处理)剂,对水热法合成的水溶性CdS半导体纳米晶进行处理,经过荧光光谱分析,发现介质水、氯仿、氧化三(正)辛基膦(TOPO)氯仿溶液以及3-巯基丙酸会对CdS纳米晶的最大荧光激发峰与发射峰的位置产生不同影响,极性大的水分子使得荧光峰蓝移,极性小的氯仿、氧化三(正)辛基膦(TOPO)氯仿溶液以及3-巯基丙酸使得荧光峰红移,最大位移为31nm左右.
用硫脲、聚乙烯吡咯烷酮、L-半胱氨痠水溶液對水熱法閤成的硫化鎘納米晶進行穩定化處理,髮現L-半胱氨痠和聚乙烯吡咯烷酮(PVP)能有效地穩定硫化鎘納米晶,熒光髮射彊度比處理前增彊瞭五十倍以上.以氯倣、氧化三(正)辛基膦(TOPO)氯倣溶液以及3-巰基丙痠為萃取(或處理)劑,對水熱法閤成的水溶性CdS半導體納米晶進行處理,經過熒光光譜分析,髮現介質水、氯倣、氧化三(正)辛基膦(TOPO)氯倣溶液以及3-巰基丙痠會對CdS納米晶的最大熒光激髮峰與髮射峰的位置產生不同影響,極性大的水分子使得熒光峰藍移,極性小的氯倣、氧化三(正)辛基膦(TOPO)氯倣溶液以及3-巰基丙痠使得熒光峰紅移,最大位移為31nm左右.
용류뇨、취을희필각완동、L-반광안산수용액대수열법합성적류화력납미정진행은정화처리,발현L-반광안산화취을희필각완동(PVP)능유효지은정류화력납미정,형광발사강도비처리전증강료오십배이상.이록방、양화삼(정)신기련(TOPO)록방용액이급3-구기병산위췌취(혹처리)제,대수열법합성적수용성CdS반도체납미정진행처리,경과형광광보분석,발현개질수、록방、양화삼(정)신기련(TOPO)록방용액이급3-구기병산회대CdS납미정적최대형광격발봉여발사봉적위치산생불동영향,겁성대적수분자사득형광봉람이,겁성소적록방、양화삼(정)신기련(TOPO)록방용액이급3-구기병산사득형광봉홍이,최대위이위31nm좌우.
