真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2007年
1期
63-66
,共4页
查杉%元金石%张弓%庄大明
查杉%元金石%張弓%莊大明
사삼%원금석%장궁%장대명
太阳能电池%CuInS2薄膜%固态源蒸发硫化%硫源温度
太暘能電池%CuInS2薄膜%固態源蒸髮硫化%硫源溫度
태양능전지%CuInS2박막%고태원증발류화%류원온도
采用中频交流磁控溅射方法沉积Cu-In预制膜,并采用固态源蒸发硫化方法制备CuInS2薄膜.考察了硫源温度对CuInS2薄膜性能的影响.采用扫描电镜(SEM)和X射线能量色散谱仪(EDS)分别观察了薄膜的表面形貌和分析了薄膜的成分,采用X射线衍射(XRD)表征了薄膜的组织结构.结果表明,在硫源温度处于280 ℃到360 ℃范围之内时,制备的CuInS2薄膜都具有单一的黄铜矿型结构,颗粒均匀,晶粒大小约为1 μm.
採用中頻交流磁控濺射方法沉積Cu-In預製膜,併採用固態源蒸髮硫化方法製備CuInS2薄膜.攷察瞭硫源溫度對CuInS2薄膜性能的影響.採用掃描電鏡(SEM)和X射線能量色散譜儀(EDS)分彆觀察瞭薄膜的錶麵形貌和分析瞭薄膜的成分,採用X射線衍射(XRD)錶徵瞭薄膜的組織結構.結果錶明,在硫源溫度處于280 ℃到360 ℃範圍之內時,製備的CuInS2薄膜都具有單一的黃銅礦型結構,顆粒均勻,晶粒大小約為1 μm.
채용중빈교류자공천사방법침적Cu-In예제막,병채용고태원증발류화방법제비CuInS2박막.고찰료류원온도대CuInS2박막성능적영향.채용소묘전경(SEM)화X사선능량색산보의(EDS)분별관찰료박막적표면형모화분석료박막적성분,채용X사선연사(XRD)표정료박막적조직결구.결과표명,재류원온도처우280 ℃도360 ℃범위지내시,제비적CuInS2박막도구유단일적황동광형결구,과립균균,정립대소약위1 μm.
