GaN外延材料测试技术的研究
GaN외연재료측시기술적연구
Study on Testing Technology of GaN Epilayers
  • 万方数据
    半导体技术 반도체기술
    SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
    2008年 5期 422-424 ,共3页

    刘岳巍%陈宏江%高蒙%张志国%高金环%闫德利%杨勇

    류악외%진굉강%고몽%장지국%고금배%염덕리%양용

    氮化镓%高电子迁移率晶体管%霍尔测试%原子力显微镜 氮化鎵%高電子遷移率晶體管%霍爾測試%原子力顯微鏡
    담화가%고전자천이솔정체관%곽이측시%원자력현미경
    分别用金属In和Ti/Al/Ni/Au合金层制备GaN HEMT结构外延片的霍尔测试电极,并对样品进行霍尔测试.发现In金属与外延片形成非欧姆接触,Ti/Al/Ni/Au合金层与外延片形成良好的欧姆接触.用电化学C-V方法测试样品,得到的载流子浓度与合金电极制备的样品经霍尔测试得到的载流子浓度一致,从而验证了此种霍尔测试方法的准确性,为GaN外延材料的测试提出了准确可行的测试方法.
    분별용금속In화Ti/Al/Ni/Au합금층제비GaN HEMT결구외연편적곽이측시전겁,병대양품진행곽이측시.발현In금속여외연편형성비구모접촉,Ti/Al/Ni/Au합금층여외연편형성량호적구모접촉.용전화학C-V방법측시양품,득도적재류자농도여합금전겁제비적양품경곽이측시득도적재류자농도일치,종이험증료차충곽이측시방법적준학성,위GaN외연재료적측시제출료준학가행적측시방법.
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