半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2008年
5期
384-387
,共4页
雷景丽%李思渊%李海蓉%李海霞
雷景麗%李思淵%李海蓉%李海霞
뢰경려%리사연%리해용%리해하
工艺%外延层%反型%自掺杂
工藝%外延層%反型%自摻雜
공예%외연층%반형%자참잡
对电力埋栅型静电感应晶体管关键工艺外延进行了深入研究,提出了在低阻p型衬底上制备高阻n型外延层的工艺方法,使外廷层的方块电阻达到40 000 Ω/□.实验证明,该方法能有效抑制自掺杂效应和扩散效应,避免了外延过程中可能出现的反型.研制的电力埋栅型静电感应晶体管,I-V特性良好、栅源击穿电压达到70 V,阻断电压达到,600 V.
對電力埋柵型靜電感應晶體管關鍵工藝外延進行瞭深入研究,提齣瞭在低阻p型襯底上製備高阻n型外延層的工藝方法,使外廷層的方塊電阻達到40 000 Ω/□.實驗證明,該方法能有效抑製自摻雜效應和擴散效應,避免瞭外延過程中可能齣現的反型.研製的電力埋柵型靜電感應晶體管,I-V特性良好、柵源擊穿電壓達到70 V,阻斷電壓達到,600 V.
대전력매책형정전감응정체관관건공예외연진행료심입연구,제출료재저조p형츤저상제비고조n형외연층적공예방법,사외정층적방괴전조체도40 000 Ω/□.실험증명,해방법능유효억제자참잡효응화확산효응,피면료외연과정중가능출현적반형.연제적전력매책형정전감응정체관,I-V특성량호、책원격천전압체도70 V,조단전압체도,600 V.
