固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2008年
3期
388-391
,共4页
铟镓磷/砷化镓%异质结双极晶体管%伏-安输出特性%截止频率
銦鎵燐/砷化鎵%異質結雙極晶體管%伏-安輸齣特性%截止頻率
인가린/신화가%이질결쌍겁정체관%복-안수출특성%절지빈솔
对改进型结构具有零导带势垒尖峰的缓变InGaP/AlGaAs/GaAs HBT器件的直流和高频特性进行了理论探讨,并同传统突变结构的InGaP/GaAs HBT的相应性能作了比较.结果表明:在低于30 nm的一定范围内的缓变层厚度下,与突变的InGaP/GaAs HBT相比,改进型结构的InGaP/AlGaAs/GaAs HBT具有更低的offset和开启电压、更强的电流驱动能力、更好的伏-安输出特性和高频特性.
對改進型結構具有零導帶勢壘尖峰的緩變InGaP/AlGaAs/GaAs HBT器件的直流和高頻特性進行瞭理論探討,併同傳統突變結構的InGaP/GaAs HBT的相應性能作瞭比較.結果錶明:在低于30 nm的一定範圍內的緩變層厚度下,與突變的InGaP/GaAs HBT相比,改進型結構的InGaP/AlGaAs/GaAs HBT具有更低的offset和開啟電壓、更彊的電流驅動能力、更好的伏-安輸齣特性和高頻特性.
대개진형결구구유령도대세루첨봉적완변InGaP/AlGaAs/GaAs HBT기건적직류화고빈특성진행료이론탐토,병동전통돌변결구적InGaP/GaAs HBT적상응성능작료비교.결과표명:재저우30 nm적일정범위내적완변층후도하,여돌변적InGaP/GaAs HBT상비,개진형결구적InGaP/AlGaAs/GaAs HBT구유경저적offset화개계전압、경강적전류구동능력、경호적복-안수출특성화고빈특성.
