微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2010年
3期
461-463
,共3页
卜建辉%毕津顺%宋李梅%韩郑生
蔔建輝%畢津順%宋李梅%韓鄭生
복건휘%필진순%송리매%한정생
PDSOI%nMOSFET%热载流子效应
PDSOI%nMOSFET%熱載流子效應
PDSOI%nMOSFET%열재류자효응
基于中国科学院微电子研究所开发的0.35 μm SOI工艺,制备了深亚微米抗辐照PDSOI H型栅nMOSFET.选取不同沟道宽度进行加速应力实验.实验结果表明,热载流子效应使最大跨导变化最大,饱和电流变化最小,阈值电压变化居中.以饱和电流退化10%为失效判据,采用衬底/漏极电流比率模型,对器件热载流子寿命进行估计,发现同等沟道长度下,沟道越宽的器件,载流子寿命越短.
基于中國科學院微電子研究所開髮的0.35 μm SOI工藝,製備瞭深亞微米抗輻照PDSOI H型柵nMOSFET.選取不同溝道寬度進行加速應力實驗.實驗結果錶明,熱載流子效應使最大跨導變化最大,飽和電流變化最小,閾值電壓變化居中.以飽和電流退化10%為失效判據,採用襯底/漏極電流比率模型,對器件熱載流子壽命進行估計,髮現同等溝道長度下,溝道越寬的器件,載流子壽命越短.
기우중국과학원미전자연구소개발적0.35 μm SOI공예,제비료심아미미항복조PDSOI H형책nMOSFET.선취불동구도관도진행가속응력실험.실험결과표명,열재류자효응사최대과도변화최대,포화전류변화최소,역치전압변화거중.이포화전류퇴화10%위실효판거,채용츤저/루겁전류비솔모형,대기건열재류자수명진행고계,발현동등구도장도하,구도월관적기건,재류자수명월단.
