电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2010年
5期
575-578
,共4页
新型缺陷地结构%射频功率放大器%测试%谐波
新型缺陷地結構%射頻功率放大器%測試%諧波
신형결함지결구%사빈공솔방대기%측시%해파
提出了一种新型的缺陷地结构,并将这种新型的缺陷地结构应用于实际所设计的射频功率放大器中.这种新型的缺陷地结构,蚀刻在射频功率放大器的偏置线下面的地平面和输出匹配电路后方的地平面,经过最后和不加这种结构的射频功率放大器进行比较和测试验证,证明成功的抑制了射频功率放大器的二次、三次谐波.
提齣瞭一種新型的缺陷地結構,併將這種新型的缺陷地結構應用于實際所設計的射頻功率放大器中.這種新型的缺陷地結構,蝕刻在射頻功率放大器的偏置線下麵的地平麵和輸齣匹配電路後方的地平麵,經過最後和不加這種結構的射頻功率放大器進行比較和測試驗證,證明成功的抑製瞭射頻功率放大器的二次、三次諧波.
제출료일충신형적결함지결구,병장저충신형적결함지결구응용우실제소설계적사빈공솔방대기중.저충신형적결함지결구,식각재사빈공솔방대기적편치선하면적지평면화수출필배전로후방적지평면,경과최후화불가저충결구적사빈공솔방대기진행비교화측시험증,증명성공적억제료사빈공솔방대기적이차、삼차해파.
