半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
9期
672-676,729
,共6页
SiGe技术%SiGe 外延%SiGe HBT%SiGe BiCMOS%SiGe FET
SiGe技術%SiGe 外延%SiGe HBT%SiGe BiCMOS%SiGe FET
SiGe기술%SiGe 외연%SiGe HBT%SiGe BiCMOS%SiGe FET
以全球信息产业需求及技术发展为背景,回顾了以能带工程为基础的、在现代通信领域得到广泛应用的SiGe异质结晶体管技术的发展历程.介绍了分子束外延、超高真空化学气象淀积和常压化学气象淀积3种典型的SiGe外延技术并对比了这三种技术的优缺点.在此基础上,对SiGe HBT技术进行了分析总结并列举了其典型技术应用.以IBM的SiGe BiCMOS技术为例,介绍了目前主流的SiGe异质结晶体管技术- SiGe BiCMOS技术的研究现状及典型技术产品.最后对正在发展中的SiGe FET技术做了简要介绍.在回顾了SiGe异质结晶体管技术发展的同时,认为未来SiGe异质结晶体管技术的提高将主要依赖于超薄SiGe基区外延技术.
以全毬信息產業需求及技術髮展為揹景,迴顧瞭以能帶工程為基礎的、在現代通信領域得到廣汎應用的SiGe異質結晶體管技術的髮展歷程.介紹瞭分子束外延、超高真空化學氣象澱積和常壓化學氣象澱積3種典型的SiGe外延技術併對比瞭這三種技術的優缺點.在此基礎上,對SiGe HBT技術進行瞭分析總結併列舉瞭其典型技術應用.以IBM的SiGe BiCMOS技術為例,介紹瞭目前主流的SiGe異質結晶體管技術- SiGe BiCMOS技術的研究現狀及典型技術產品.最後對正在髮展中的SiGe FET技術做瞭簡要介紹.在迴顧瞭SiGe異質結晶體管技術髮展的同時,認為未來SiGe異質結晶體管技術的提高將主要依賴于超薄SiGe基區外延技術.
이전구신식산업수구급기술발전위배경,회고료이능대공정위기출적、재현대통신영역득도엄범응용적SiGe이질결정체관기술적발전역정.개소료분자속외연、초고진공화학기상정적화상압화학기상정적3충전형적SiGe외연기술병대비료저삼충기술적우결점.재차기출상,대SiGe HBT기술진행료분석총결병열거료기전형기술응용.이IBM적SiGe BiCMOS기술위례,개소료목전주류적SiGe이질결정체관기술- SiGe BiCMOS기술적연구현상급전형기술산품.최후대정재발전중적SiGe FET기술주료간요개소.재회고료SiGe이질결정체관기술발전적동시,인위미래SiGe이질결정체관기술적제고장주요의뢰우초박SiGe기구외연기술.
