激光技术
激光技術
격광기술
LASER TECHNOLOGY
2012年
6期
731-734
,共4页
张延超%孙兰君%付石友%刘立宝%田兆硕
張延超%孫蘭君%付石友%劉立寶%田兆碩
장연초%손란군%부석우%류립보%전조석
激光技术%激光器%半导体激光电源%MOSFET开关%窄脉冲%脉宽宽度可调%高重复频率
激光技術%激光器%半導體激光電源%MOSFET開關%窄脈遲%脈寬寬度可調%高重複頻率
격광기술%격광기%반도체격광전원%MOSFET개관%착맥충%맥관관도가조%고중복빈솔
为了获得高功率、高重频半导体激光脉冲,设计了一种体积小、重量轻、造价低的纳米级大功率半导体激光器驱动电源.采用改进的单稳态触发器产生窄脉冲,经放大后驱动快速开关MOSFET获得大电流窄脉冲;电源脉冲电流驱动能力0A ～ 80A,脉冲上升时间2.8ns,下降时间3.8ns,脉冲宽度5ns～500ns范围内可调,最小5.2ns,重复频率可达200kHz.用该电源实验测试了激光波长为905nm的半导体激光器,在重复频率为10kHz时,激光脉冲峰值功率达到70W以上.结果表明,采用窄脉冲驱动MOSFET可以得到高重复频率10ns以内的大电流窄脉冲,可以驱动大功率半导体激光器,若驱动100A以上的激光器需进一步研究.
為瞭穫得高功率、高重頻半導體激光脈遲,設計瞭一種體積小、重量輕、造價低的納米級大功率半導體激光器驅動電源.採用改進的單穩態觸髮器產生窄脈遲,經放大後驅動快速開關MOSFET穫得大電流窄脈遲;電源脈遲電流驅動能力0A ～ 80A,脈遲上升時間2.8ns,下降時間3.8ns,脈遲寬度5ns～500ns範圍內可調,最小5.2ns,重複頻率可達200kHz.用該電源實驗測試瞭激光波長為905nm的半導體激光器,在重複頻率為10kHz時,激光脈遲峰值功率達到70W以上.結果錶明,採用窄脈遲驅動MOSFET可以得到高重複頻率10ns以內的大電流窄脈遲,可以驅動大功率半導體激光器,若驅動100A以上的激光器需進一步研究.
위료획득고공솔、고중빈반도체격광맥충,설계료일충체적소、중량경、조개저적납미급대공솔반도체격광기구동전원.채용개진적단은태촉발기산생착맥충,경방대후구동쾌속개관MOSFET획득대전류착맥충;전원맥충전류구동능력0A ～ 80A,맥충상승시간2.8ns,하강시간3.8ns,맥충관도5ns～500ns범위내가조,최소5.2ns,중복빈솔가체200kHz.용해전원실험측시료격광파장위905nm적반도체격광기,재중복빈솔위10kHz시,격광맥충봉치공솔체도70W이상.결과표명,채용착맥충구동MOSFET가이득도고중복빈솔10ns이내적대전류착맥충,가이구동대공솔반도체격광기,약구동100A이상적격광기수진일보연구.
