光电子技术与信息
光電子技術與信息
광전자기술여신식
OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY & INFORMATION
2005年
3期
1-5
,共5页
半导体纳米晶%尺寸效应%光电子性质
半導體納米晶%呎吋效應%光電子性質
반도체납미정%척촌효응%광전자성질
综述了近年来国内外纳米晶体光电子性质研究领域某些方面的进展情况,着重介绍了半导体纳米晶在光吸收、光致发光、非线性光学效应和电阻率等方面的独特性能.这些研究表明,对于0～3 nm晶体(纳米晶粒处于分散介质中)来说,量子尺寸效应是产生晶体性质突变的主要原因之一.对纳米晶体结构和性能的深入研究,能为光电子材料的发展提供新的途径和思路.
綜述瞭近年來國內外納米晶體光電子性質研究領域某些方麵的進展情況,著重介紹瞭半導體納米晶在光吸收、光緻髮光、非線性光學效應和電阻率等方麵的獨特性能.這些研究錶明,對于0～3 nm晶體(納米晶粒處于分散介質中)來說,量子呎吋效應是產生晶體性質突變的主要原因之一.對納米晶體結構和性能的深入研究,能為光電子材料的髮展提供新的途徑和思路.
종술료근년래국내외납미정체광전자성질연구영역모사방면적진전정황,착중개소료반도체납미정재광흡수、광치발광、비선성광학효응화전조솔등방면적독특성능.저사연구표명,대우0～3 nm정체(납미정립처우분산개질중)래설,양자척촌효응시산생정체성질돌변적주요원인지일.대납미정체결구화성능적심입연구,능위광전자재료적발전제공신적도경화사로.
