物理学报
物理學報
물이학보
2005年
4期
1756-1761
,共6页
孙立忠%陈效双%周孝好%孙沿林%全知觉%陆卫
孫立忠%陳效雙%週孝好%孫沿林%全知覺%陸衛
손립충%진효쌍%주효호%손연림%전지각%륙위
碲镉汞%Hg空位%线性缀加平面波方法
碲鎘汞%Hg空位%線性綴加平麵波方法
제력홍%Hg공위%선성철가평면파방법
利用基于第一性原理的全电子势线性缀加平面波方法计算了在碲镉汞材料中Hg空位所引起的晶格弛豫以及空位对周围原子成键机制的影响.通过成键过程中电荷密度的变化以及电荷转移的讨论,论述了碲镉汞材料Hg空位引起的弛豫以及这种弛豫产生的主要原因.通过态密度的计算和分析,发现Hg空位的形成将导致第一近邻阴离子Te的5s态能量向高能端移动了0.55 eV,并借助Te 5s态电荷密度与成键电荷密度的计算结果,分析了引起该能态能量平移的主要原因.通过带边态密度变化以及Kohn-Sham(KS)单电子能级的计算和分析,得出了Hg空位使碲镉汞材料的光跃迁能量变小响应波长变长,等效于材料带隙变小的结论.通过KS电子能级的计算分析得到了Hg空位缺陷引起的双受主能级随不同电离态的变化趋势.
利用基于第一性原理的全電子勢線性綴加平麵波方法計算瞭在碲鎘汞材料中Hg空位所引起的晶格弛豫以及空位對週圍原子成鍵機製的影響.通過成鍵過程中電荷密度的變化以及電荷轉移的討論,論述瞭碲鎘汞材料Hg空位引起的弛豫以及這種弛豫產生的主要原因.通過態密度的計算和分析,髮現Hg空位的形成將導緻第一近鄰陰離子Te的5s態能量嚮高能耑移動瞭0.55 eV,併藉助Te 5s態電荷密度與成鍵電荷密度的計算結果,分析瞭引起該能態能量平移的主要原因.通過帶邊態密度變化以及Kohn-Sham(KS)單電子能級的計算和分析,得齣瞭Hg空位使碲鎘汞材料的光躍遷能量變小響應波長變長,等效于材料帶隙變小的結論.通過KS電子能級的計算分析得到瞭Hg空位缺陷引起的雙受主能級隨不同電離態的變化趨勢.
이용기우제일성원리적전전자세선성철가평면파방법계산료재제력홍재료중Hg공위소인기적정격이예이급공위대주위원자성건궤제적영향.통과성건과정중전하밀도적변화이급전하전이적토론,논술료제력홍재료Hg공위인기적이예이급저충이예산생적주요원인.통과태밀도적계산화분석,발현Hg공위적형성장도치제일근린음리자Te적5s태능량향고능단이동료0.55 eV,병차조Te 5s태전하밀도여성건전하밀도적계산결과,분석료인기해능태능량평이적주요원인.통과대변태밀도변화이급Kohn-Sham(KS)단전자능급적계산화분석,득출료Hg공위사제력홍재료적광약천능량변소향응파장변장,등효우재료대극변소적결론.통과KS전자능급적계산분석득도료Hg공위결함인기적쌍수주능급수불동전리태적변화추세.
