原子与分子物理学报
原子與分子物理學報
원자여분자물이학보
CHINESE JOURNAL OF ATOMIC AND MOLECULAR PHYSICS
2006年
4期
673-678
,共6页
戴宪起%琚伟伟%吴新华%李同伟
戴憲起%琚偉偉%吳新華%李同偉
대헌기%거위위%오신화%리동위
量子线%铟%硅%第一原理
量子線%銦%硅%第一原理
양자선%인%규%제일원리
利用第一原理理论研究了金属In在Si(001)表面吸附的原子结构.结果表明,In原子的吸附不破坏衬底Si的二聚体化学键.在低覆盖率时,In原子在Si(001)衬底上形成有序量子线,取向沿衬底Si的二聚体化学键方向.计算结果显示相邻In线之间不存在排斥作用.
利用第一原理理論研究瞭金屬In在Si(001)錶麵吸附的原子結構.結果錶明,In原子的吸附不破壞襯底Si的二聚體化學鍵.在低覆蓋率時,In原子在Si(001)襯底上形成有序量子線,取嚮沿襯底Si的二聚體化學鍵方嚮.計算結果顯示相鄰In線之間不存在排斥作用.
이용제일원리이론연구료금속In재Si(001)표면흡부적원자결구.결과표명,In원자적흡부불파배츤저Si적이취체화학건.재저복개솔시,In원자재Si(001)츤저상형성유서양자선,취향연츤저Si적이취체화학건방향.계산결과현시상린In선지간불존재배척작용.
