Mg掺杂AlGaN的特性研究
Mg참잡AlGaN적특성연구
Properties of Mg-Doped AlGaN Films
  • 万方数据
    微纳电子技术 미납전자기술
    MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
    2008年 9期 512-515,541 ,共5页

    吴超%谢自力%张荣%张曾%刘斌%刘启佳%聂超%李弋%韩平%陈鹏%陆海%郑有炓

    오초%사자력%장영%장증%류빈%류계가%섭초%리익%한평%진붕%륙해%정유료

    AlGaN薄膜%Mg掺杂%热退火%表面形貌%阴极射线发光 AlGaN薄膜%Mg摻雜%熱退火%錶麵形貌%陰極射線髮光
    AlGaN박막%Mg참잡%열퇴화%표면형모%음겁사선발광
    采用金属有机物化学气相淀积方法在Al2O3衬底上生长不同浓度Mg掺杂的AlxGa1-xN合金薄膜,并在750℃、N2气氛下对Mg进行热退火激活.用X射线衍射ω-2θ扫描计算确定样品的Al组分,发现Mg摩尔掺杂浓度和退火对Al组分均未产生明显影响.X射线衍射摇摆曲线与原子力显微镜扫描表明随Mg摩尔掺杂浓度增加,样品晶体质量下降,样品表面凹坑增加,但热退火对薄膜表面形貌有明显的改善.阴极射线发光测量发现带边峰强度随掺杂浓度增加而减弱,退火后样品的施主-受主对复合发射与导带受主的复合发射均有增强,验证了热退火对钝化受主杂质的激活作用,对实现高效AlGaN的P型掺杂具有重要意义.
    채용금속유궤물화학기상정적방법재Al2O3츤저상생장불동농도Mg참잡적AlxGa1-xN합금박막,병재750℃、N2기분하대Mg진행열퇴화격활.용X사선연사ω-2θ소묘계산학정양품적Al조분,발현Mg마이참잡농도화퇴화대Al조분균미산생명현영향.X사선연사요파곡선여원자력현미경소묘표명수Mg마이참잡농도증가,양품정체질량하강,양품표면요갱증가,단열퇴화대박막표면형모유명현적개선.음겁사선발광측량발현대변봉강도수참잡농도증가이감약,퇴화후양품적시주-수주대복합발사여도대수주적복합발사균유증강,험증료열퇴화대둔화수주잡질적격활작용,대실현고효AlGaN적P형참잡구유중요의의.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문