氧化硅衬底上高密度锗量子点的微结构研究
양화규츤저상고밀도타양자점적미결구연구
Growth and Microstructures of High Density Ge Quantum Dots on SiO2 Layers
  • 万方数据
    真空科学与技术学报 진공과학여기술학보
    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
    2011年 6期 760-764 ,共5页

    张磊%叶辉%皇甫幼睿%詹文博%刘旭

    장뢰%협휘%황보유예%첨문박%류욱

    锗岛%纳米微结构%分子束外延%二氧化硅%成核 鍺島%納米微結構%分子束外延%二氧化硅%成覈
    타도%납미미결구%분자속외연%이양화규%성핵
    以化学氧化生成的SiO2缓冲层作为衬底,利用分子束外延(MBE)系统通过直接生长以及后期退火的方式获得了高密度(1011 cm-2)的锗量子点结构.借助于扫描电镜和电子衍射等进一步研究了其生长机理,与传统的S-K生长模式进行比较并给出了清晰的微观结构示意图.拉曼光谱证实此类微结构中有压应力的存在,而退火后的量子点则应力得到释放.
    이화학양화생성적SiO2완충층작위츤저,이용분자속외연(MBE)계통통과직접생장이급후기퇴화적방식획득료고밀도(1011 cm-2)적타양자점결구.차조우소묘전경화전자연사등진일보연구료기생장궤리,여전통적S-K생장모식진행비교병급출료청석적미관결구시의도.랍만광보증실차류미결구중유압응력적존재,이퇴화후적양자점칙응력득도석방.
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