甘肃科技
甘肅科技
감숙과기
GANSU SCIENCE AND TECHNOLOGY
2012年
3期
38-39
,共2页
崔晓锦%李晓明%杨佩%齐国栋%刘立衡
崔曉錦%李曉明%楊珮%齊國棟%劉立衡
최효금%리효명%양패%제국동%류립형
CdS%制备方法%纳米材料
CdS%製備方法%納米材料
CdS%제비방법%납미재료
Ⅱ - Ⅵ族半导体纳米材料CdS,具有较大的禁带宽度(2.42ev),因而,在纳米光电子器件等领域有重要的应用前景.就此,系统地介绍了CdS纳米材料的制备方法及各自特点,就近年来国内外对CdS纳米材料的研究进行了总结,研究表明,CdS纳米复合材料是今后发展的趋势.
Ⅱ - Ⅵ族半導體納米材料CdS,具有較大的禁帶寬度(2.42ev),因而,在納米光電子器件等領域有重要的應用前景.就此,繫統地介紹瞭CdS納米材料的製備方法及各自特點,就近年來國內外對CdS納米材料的研究進行瞭總結,研究錶明,CdS納米複閤材料是今後髮展的趨勢.
Ⅱ - Ⅵ족반도체납미재료CdS,구유교대적금대관도(2.42ev),인이,재납미광전자기건등영역유중요적응용전경.취차,계통지개소료CdS납미재료적제비방법급각자특점,취근년래국내외대CdS납미재료적연구진행료총결,연구표명,CdS납미복합재료시금후발전적추세.
