半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2007年
5期
417-421
,共5页
噪声%阻抗匹配%功率增益%线性%镜像抑制
譟聲%阻抗匹配%功率增益%線性%鏡像抑製
조성%조항필배%공솔증익%선성%경상억제
阐述了一个采用Chartered 0.35 μm CMOS工艺实现的应用于315 MHz幅度键控接收芯片的低功耗窄带低噪声放大器.该电路主要采用限定功耗下同时优化噪声性能和输入匹配的技术进行设计,并且采取了其他一些措施来进一步改善电路的性能.采用一个并-串谐振网络,提供镜像抑制.实验测试表明,该低噪声放大器的噪声系数为1.47 dB,功率增益为19.97 dB,输入三阶截断点为-15.53 dBm,镜像抑制为42.4 dB,功耗为1.4 mW.
闡述瞭一箇採用Chartered 0.35 μm CMOS工藝實現的應用于315 MHz幅度鍵控接收芯片的低功耗窄帶低譟聲放大器.該電路主要採用限定功耗下同時優化譟聲性能和輸入匹配的技術進行設計,併且採取瞭其他一些措施來進一步改善電路的性能.採用一箇併-串諧振網絡,提供鏡像抑製.實驗測試錶明,該低譟聲放大器的譟聲繫數為1.47 dB,功率增益為19.97 dB,輸入三階截斷點為-15.53 dBm,鏡像抑製為42.4 dB,功耗為1.4 mW.
천술료일개채용Chartered 0.35 μm CMOS공예실현적응용우315 MHz폭도건공접수심편적저공모착대저조성방대기.해전로주요채용한정공모하동시우화조성성능화수입필배적기술진행설계,병차채취료기타일사조시래진일보개선전로적성능.채용일개병-천해진망락,제공경상억제.실험측시표명,해저조성방대기적조성계수위1.47 dB,공솔증익위19.97 dB,수입삼계절단점위-15.53 dBm,경상억제위42.4 dB,공모위1.4 mW.
