核技术
覈技術
핵기술
NUCLEAR TECHNIQUES
2007年
8期
657-659
,共3页
刘玉娟%张斌%王坤%姚淑德%王立%江风益
劉玉娟%張斌%王坤%姚淑德%王立%江風益
류옥연%장빈%왕곤%요숙덕%왕립%강풍익
卢瑟福背散射/沟道%ZnO薄膜%结晶品质%四方畸变
盧瑟福揹散射/溝道%ZnO薄膜%結晶品質%四方畸變
로슬복배산사/구도%ZnO박막%결정품질%사방기변
用卢瑟福背散射/沟道(RBS/Channeling)技术研究了在Al2O3(0001)衬底上用MOCVD方法生长的ZnO薄膜的弹性应变.ZnO薄膜的xmin=5.1%,表明其具有非常好的结晶品质.ZnO薄膜的四方畸变为正,表明其在水平方向是拉应变,垂直方向是压应变.弹性应变由界面向表面逐渐释放,其在界面附近最大,在表面处最小.
用盧瑟福揹散射/溝道(RBS/Channeling)技術研究瞭在Al2O3(0001)襯底上用MOCVD方法生長的ZnO薄膜的彈性應變.ZnO薄膜的xmin=5.1%,錶明其具有非常好的結晶品質.ZnO薄膜的四方畸變為正,錶明其在水平方嚮是拉應變,垂直方嚮是壓應變.彈性應變由界麵嚮錶麵逐漸釋放,其在界麵附近最大,在錶麵處最小.
용로슬복배산사/구도(RBS/Channeling)기술연구료재Al2O3(0001)츤저상용MOCVD방법생장적ZnO박막적탄성응변.ZnO박막적xmin=5.1%,표명기구유비상호적결정품질.ZnO박막적사방기변위정,표명기재수평방향시랍응변,수직방향시압응변.탄성응변유계면향표면축점석방,기재계면부근최대,재표면처최소.
