半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2008年
9期
803-806
,共4页
原位水汽生长%热载流子注入%经时击穿
原位水汽生長%熱載流子註入%經時擊穿
원위수기생장%열재류자주입%경시격천
介绍了基于原位水汽生长工艺的超薄栅介质膜的可靠性研究.通过电荷泵测试.对工艺参数与界面态密度的关系进行了定性的分析,然后通过热载流子退化和经时击穿的测试对原位水汽生长栅介质膜的可靠性进行了研究.通过测试发现,提高生长温度或减小氢气在反应气体中的比重可以获得更好的界面特性和可靠性,原位水汽生长工艺存在进一步提高的空间.
介紹瞭基于原位水汽生長工藝的超薄柵介質膜的可靠性研究.通過電荷泵測試.對工藝參數與界麵態密度的關繫進行瞭定性的分析,然後通過熱載流子退化和經時擊穿的測試對原位水汽生長柵介質膜的可靠性進行瞭研究.通過測試髮現,提高生長溫度或減小氫氣在反應氣體中的比重可以穫得更好的界麵特性和可靠性,原位水汽生長工藝存在進一步提高的空間.
개소료기우원위수기생장공예적초박책개질막적가고성연구.통과전하빙측시.대공예삼수여계면태밀도적관계진행료정성적분석,연후통과열재류자퇴화화경시격천적측시대원위수기생장책개질막적가고성진행료연구.통과측시발현,제고생장온도혹감소경기재반응기체중적비중가이획득경호적계면특성화가고성,원위수기생장공예존재진일보제고적공간.
