纳米技术与精密工程
納米技術與精密工程
납미기술여정밀공정
NANOTECHNOLOGY AND PRECISION ENGINEERING
2008年
5期
336-342
,共7页
马斌%梁平治%陈世军%程正喜
馬斌%樑平治%陳世軍%程正喜
마빈%량평치%진세군%정정희
真空传感器%热电堆%有限元分析%ANSYS
真空傳感器%熱電堆%有限元分析%ANSYS
진공전감기%열전퇴%유한원분석%ANSYS
利用商业化的1.2μm标准CMOS生产流水线,配合无掩模体硅各向异性腐蚀工艺,制造了一种热电堆型真空传感器,器件敏感部分尺寸为124μm×100μm,由5层薄膜组成,最大厚度为3.2 μm.采用一种简化方式时传感器建立有限元模型.新模型一方面忽略了气体对流和热辐射的传热作用,另一方面将各层介质和热电堆结构层分别进行了合并.模型具有简单的断面结构,网格划分容易,收敛速度快.运用ANSYS软件对模型进行了电-热、热-电耦合场分析,直接得到了1.5 V加热电压驱动时不同压强下的热电堆输出电压,并与0.1～200 Pa之间的测试结果进行比较.结果表明,采用简化建模方式的计算结果与测试结果之间的偏差小于6%.
利用商業化的1.2μm標準CMOS生產流水線,配閤無掩模體硅各嚮異性腐蝕工藝,製造瞭一種熱電堆型真空傳感器,器件敏感部分呎吋為124μm×100μm,由5層薄膜組成,最大厚度為3.2 μm.採用一種簡化方式時傳感器建立有限元模型.新模型一方麵忽略瞭氣體對流和熱輻射的傳熱作用,另一方麵將各層介質和熱電堆結構層分彆進行瞭閤併.模型具有簡單的斷麵結構,網格劃分容易,收斂速度快.運用ANSYS軟件對模型進行瞭電-熱、熱-電耦閤場分析,直接得到瞭1.5 V加熱電壓驅動時不同壓彊下的熱電堆輸齣電壓,併與0.1～200 Pa之間的測試結果進行比較.結果錶明,採用簡化建模方式的計算結果與測試結果之間的偏差小于6%.
이용상업화적1.2μm표준CMOS생산류수선,배합무엄모체규각향이성부식공예,제조료일충열전퇴형진공전감기,기건민감부분척촌위124μm×100μm,유5층박막조성,최대후도위3.2 μm.채용일충간화방식시전감기건립유한원모형.신모형일방면홀략료기체대류화열복사적전열작용,령일방면장각층개질화열전퇴결구층분별진행료합병.모형구유간단적단면결구,망격화분용역,수렴속도쾌.운용ANSYS연건대모형진행료전-열、열-전우합장분석,직접득도료1.5 V가열전압구동시불동압강하적열전퇴수출전압,병여0.1～200 Pa지간적측시결과진행비교.결과표명,채용간화건모방식적계산결과여측시결과지간적편차소우6%.
