电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2010年
3期
262-265
,共4页
李俊伍%顾慧%黄见秋%秦明
李俊伍%顧慧%黃見鞦%秦明
리준오%고혜%황견추%진명
四甲基氢氧化铵%自停止腐蚀%Al钝化
四甲基氫氧化銨%自停止腐蝕%Al鈍化
사갑기경양화안%자정지부식%Al둔화
MEMS器件的性能与尺寸密切相关.介绍了一种精确控制器件尺寸的各向异性腐蚀方法--基于改进TMAH溶液的PN结自停止腐蚀.这种方法几乎不刻蚀铝,从而与CMOS工艺良好地兼容.应用这种办法正面腐蚀,成功释放结构,尺寸与设计比较符合,证明了这种方法的可行性及易操作性.
MEMS器件的性能與呎吋密切相關.介紹瞭一種精確控製器件呎吋的各嚮異性腐蝕方法--基于改進TMAH溶液的PN結自停止腐蝕.這種方法幾乎不刻蝕鋁,從而與CMOS工藝良好地兼容.應用這種辦法正麵腐蝕,成功釋放結構,呎吋與設計比較符閤,證明瞭這種方法的可行性及易操作性.
MEMS기건적성능여척촌밀절상관.개소료일충정학공제기건척촌적각향이성부식방법--기우개진TMAH용액적PN결자정지부식.저충방법궤호불각식려,종이여CMOS공예량호지겸용.응용저충판법정면부식,성공석방결구,척촌여설계비교부합,증명료저충방법적가행성급역조작성.
