功能材料
功能材料
공능재료
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
2007年
5期
703-705,710
,共4页
吴清鑫%陈光红%于映%罗仲梓
吳清鑫%陳光紅%于映%囉仲梓
오청흠%진광홍%우영%라중재
PECVD%氮化硅%聚酰亚胺%残余应力%射频MEMS开关
PECVD%氮化硅%聚酰亞胺%殘餘應力%射頻MEMS開關
PECVD%담화규%취선아알%잔여응력%사빈MEMS개관
采用了等离子体增强化学气相沉积法(plasma-enhanced chemical vapor deposition,PECVD)在聚酰亚胺(polyimide,PI)牺牲层上生长氮化硅薄膜,讨论沉积温度、射频功率、反应气体流量比等工艺参数对氮化硅薄膜的生长速率、氮硅比、残余应力等性能的影响,得到适合制作接触式射频MEMS开关中悬梁的氮化硅薄膜的最佳工艺条件.
採用瞭等離子體增彊化學氣相沉積法(plasma-enhanced chemical vapor deposition,PECVD)在聚酰亞胺(polyimide,PI)犧牲層上生長氮化硅薄膜,討論沉積溫度、射頻功率、反應氣體流量比等工藝參數對氮化硅薄膜的生長速率、氮硅比、殘餘應力等性能的影響,得到適閤製作接觸式射頻MEMS開關中懸樑的氮化硅薄膜的最佳工藝條件.
채용료등리자체증강화학기상침적법(plasma-enhanced chemical vapor deposition,PECVD)재취선아알(polyimide,PI)희생층상생장담화규박막,토론침적온도、사빈공솔、반응기체류량비등공예삼수대담화규박막적생장속솔、담규비、잔여응력등성능적영향,득도괄합제작접촉식사빈MEMS개관중현량적담화규박막적최가공예조건.
