电子与封装
電子與封裝
전자여봉장
EIECTRONICS AND PACKAGING
2010年
2期
23-27
,共5页
施建根%孙伟锋%景伟平%孙海燕%高国华
施建根%孫偉鋒%景偉平%孫海燕%高國華
시건근%손위봉%경위평%손해연%고국화
IGBT%装片%空洞%热阻%失效研究
IGBT%裝片%空洞%熱阻%失效研究
IGBT%장편%공동%열조%실효연구
IGBT芯片在TO-220封装装片时容易形成空洞,焊料层中空洞大小直接影响车载IGBT器件的热阻与散热性能,而这些性能的好坏将直接影响器件的可靠性.文章分析了IGBT器件在TO-220封装装片时所产生的空洞的形成机制,并就IGBT器件TO-220封装模型利用FEA方法建立其热学模型,模拟结果表明:在装片焊料层中空洞含量增加时,热阻会急剧增大而降低IGBT器件的散热性能,IGBT器件温度在单个空洞体积为10%时比没有空洞时高出28.6℃.同时借助工程样品失效分析结果,研究TO-220封装的IGBT器件在经过功率循环后空洞对于IGBT器件性能的影响,最后确立空洞体积单个小于2%,总数小于5%的装片工艺标准.
IGBT芯片在TO-220封裝裝片時容易形成空洞,銲料層中空洞大小直接影響車載IGBT器件的熱阻與散熱性能,而這些性能的好壞將直接影響器件的可靠性.文章分析瞭IGBT器件在TO-220封裝裝片時所產生的空洞的形成機製,併就IGBT器件TO-220封裝模型利用FEA方法建立其熱學模型,模擬結果錶明:在裝片銲料層中空洞含量增加時,熱阻會急劇增大而降低IGBT器件的散熱性能,IGBT器件溫度在單箇空洞體積為10%時比沒有空洞時高齣28.6℃.同時藉助工程樣品失效分析結果,研究TO-220封裝的IGBT器件在經過功率循環後空洞對于IGBT器件性能的影響,最後確立空洞體積單箇小于2%,總數小于5%的裝片工藝標準.
IGBT심편재TO-220봉장장편시용역형성공동,한료층중공동대소직접영향차재IGBT기건적열조여산열성능,이저사성능적호배장직접영향기건적가고성.문장분석료IGBT기건재TO-220봉장장편시소산생적공동적형성궤제,병취IGBT기건TO-220봉장모형이용FEA방법건립기열학모형,모의결과표명:재장편한료층중공동함량증가시,열조회급극증대이강저IGBT기건적산열성능,IGBT기건온도재단개공동체적위10%시비몰유공동시고출28.6℃.동시차조공정양품실효분석결과,연구TO-220봉장적IGBT기건재경과공솔순배후공동대우IGBT기건성능적영향,최후학립공동체적단개소우2%,총수소우5%적장편공예표준.
