HVPE生长厚层GaN基片Ⅴ/Ⅲ对结晶质量的影响
HVPE생장후층GaN기편Ⅴ/Ⅲ대결정질량적영향
Analysis of the Thick GaN Crystal Qualities under Different Ⅴ/Ⅲ Ratio Grown by HVPE
  • 万方数据
    固体电子学研究与进展 고체전자학연구여진전
    RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
    2012年 3期 215-218 ,共4页

    杨丹丹%徐永宽%程红娟%张嵩%李晖%徐所成%史月增%刘金鑫%岳洋%张峰%郝建民

    양단단%서영관%정홍연%장숭%리휘%서소성%사월증%류금흠%악양%장봉%학건민

    氢化物%气相外延%氮化镓%X射线双晶衍射%拉曼光谱%Ⅴ/Ⅲ 氫化物%氣相外延%氮化鎵%X射線雙晶衍射%拉曼光譜%Ⅴ/Ⅲ
    경화물%기상외연%담화가%X사선쌍정연사%랍만광보%Ⅴ/Ⅲ
    采用HVPE法,通过改变Ⅴ/Ⅲ生长厚层GaN基片.分别采用X射线双晶衍射摇摆曲线、拉曼光谱及扫描探针显微镜进行生长晶体结晶质量和显微形貌分析.生长出表面光亮、无坑、无裂痕的60 μm以上厚层GaN基片,并简要介绍厚层GaN基片生长过程中Ⅴ/Ⅲ影响成核岛演变的规律.
    채용HVPE법,통과개변Ⅴ/Ⅲ생장후층GaN기편.분별채용X사선쌍정연사요파곡선、랍만광보급소묘탐침현미경진행생장정체결정질량화현미형모분석.생장출표면광량、무갱、무렬흔적60 μm이상후층GaN기편,병간요개소후층GaN기편생장과정중Ⅴ/Ⅲ영향성핵도연변적규률.
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