西安电子科技大学学报（自然科学版）
西安電子科技大學學報（自然科學版）
서안전자과기대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF XIDIAN UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)
2005年
4期
501-503,527
,共4页
准浮栅%超低压%运算放大器%CMOS
準浮柵%超低壓%運算放大器%CMOS
준부책%초저압%운산방대기%CMOS
分析了准浮栅晶体管的工作原理、电气特性及其等效电路,基于准浮栅PMOS晶体管,设计了超低压低功耗运算放大器.基于台积电的0.25μm CMOS工艺,利用Hspice对所设计的运放进行了模拟仿真.仿真结果显示,在0.8V的单源电压下,运算放大器的最大开环增益为76.5dB,相位裕度为62°,单位增益带宽为2.98MHz,功耗仅为9.45 μW.
分析瞭準浮柵晶體管的工作原理、電氣特性及其等效電路,基于準浮柵PMOS晶體管,設計瞭超低壓低功耗運算放大器.基于檯積電的0.25μm CMOS工藝,利用Hspice對所設計的運放進行瞭模擬倣真.倣真結果顯示,在0.8V的單源電壓下,運算放大器的最大開環增益為76.5dB,相位裕度為62°,單位增益帶寬為2.98MHz,功耗僅為9.45 μW.
분석료준부책정체관적공작원리、전기특성급기등효전로,기우준부책PMOS정체관,설계료초저압저공모운산방대기.기우태적전적0.25μm CMOS공예,이용Hspice대소설계적운방진행료모의방진.방진결과현시,재0.8V적단원전압하,운산방대기적최대개배증익위76.5dB,상위유도위62°,단위증익대관위2.98MHz,공모부위9.45 μW.
