4H-SiC MESFET的新型经验电容模型
4H-SiC MESFET적신형경험전용모형
A Novel Empirical Large Signal Capacitance Model for 4H-SiC MESFET
  • 万方数据
    固体电子学研究与进展 고체전자학연구여진전
    RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
    2008年 1期 33-37 ,共5页

    曹全君%张义门%张玉明%汤晓燕%吕红亮%王悦湖

    조전군%장의문%장옥명%탕효연%려홍량%왕열호

    4H-碳化硅%金属半导体场效应晶体管%大信号电容%经验模型%Levenberg-Marquardt方法 4H-碳化硅%金屬半導體場效應晶體管%大信號電容%經驗模型%Levenberg-Marquardt方法
    4H-탄화규%금속반도체장효응정체관%대신호전용%경험모형%Levenberg-Marquardt방법
    基于器件工作机理,提出了一种新型的4H-SiC MESFET经验大信号电容模型.模型参数提取采用Levenberg-Marquardt优化算法,提取的模型主要参数具有一定物理意义.C-V特性的模型模拟结果与实验数据的比较表明两者符合良好.该模型还与CAD工具的通用电容模型进行了比较,结果表明新模型具有更高的精度.
    기우기건공작궤리,제출료일충신형적4H-SiC MESFET경험대신호전용모형.모형삼수제취채용Levenberg-Marquardt우화산법,제취적모형주요삼수구유일정물리의의.C-V특성적모형모의결과여실험수거적비교표명량자부합량호.해모형환여CAD공구적통용전용모형진행료비교,결과표명신모형구유경고적정도.
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