核电子学与探测技术
覈電子學與探測技術
핵전자학여탐측기술
NUCLEAR ELECTRONICS & DETECTION TECHNOLOGY
2008年
1期
159-162,205
,共5页
赵发展%郭天雷%海潮和%彭菲
趙髮展%郭天雷%海潮和%彭菲
조발전%곽천뢰%해조화%팽비
单粒子效应%SOI%SRAM%加固
單粒子效應%SOI%SRAM%加固
단입자효응%SOI%SRAM%가고
随着SOI器件尺寸不断缩小,单粒子效应敏感区域相对有源区比例增加,对于其敏感区域的机理研究显得越来越重要.本文利用软件对SOI MOSFET的敏感区域进行了3-D空间模拟,阐述了敏感区域的机理:截止NMOSFET的反偏漏结迫使单粒子轰击产生的电子空穴对分离,漏极迅速收集电子产生瞬时电流,空穴向体区漂移并在体区堆积,使体电势升高导致寄生三极管开启产生较长时间的放大电流.良好的体接触能够快速抽走堆积的空穴,抑制体电位的升高,降低漏极收集电流.
隨著SOI器件呎吋不斷縮小,單粒子效應敏感區域相對有源區比例增加,對于其敏感區域的機理研究顯得越來越重要.本文利用軟件對SOI MOSFET的敏感區域進行瞭3-D空間模擬,闡述瞭敏感區域的機理:截止NMOSFET的反偏漏結迫使單粒子轟擊產生的電子空穴對分離,漏極迅速收集電子產生瞬時電流,空穴嚮體區漂移併在體區堆積,使體電勢升高導緻寄生三極管開啟產生較長時間的放大電流.良好的體接觸能夠快速抽走堆積的空穴,抑製體電位的升高,降低漏極收集電流.
수착SOI기건척촌불단축소,단입자효응민감구역상대유원구비례증가,대우기민감구역적궤리연구현득월래월중요.본문이용연건대SOI MOSFET적민감구역진행료3-D공간모의,천술료민감구역적궤리:절지NMOSFET적반편루결박사단입자굉격산생적전자공혈대분리,루겁신속수집전자산생순시전류,공혈향체구표이병재체구퇴적,사체전세승고도치기생삼겁관개계산생교장시간적방대전류.량호적체접촉능구쾌속추주퇴적적공혈,억제체전위적승고,강저루겁수집전류.
