半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2008年
8期
677-679
,共3页
王勇%冯震%宋建博%李静强%冯志宏%杨克武
王勇%馮震%宋建博%李靜彊%馮誌宏%楊剋武
왕용%풍진%송건박%리정강%풍지굉%양극무
氮化镓高电子迁移率晶体管%肖特基势垒%击穿电压%输出功率
氮化鎵高電子遷移率晶體管%肖特基勢壘%擊穿電壓%輸齣功率
담화가고전자천이솔정체관%초특기세루%격천전압%수출공솔
采用双台面隔离工艺,实现了器件有源区隔离,隔离电压大于250 V/10μA.通过对金属化前和介质膜淀积前的预处理过程的改进,实现了较理想的肖特基势垒特性,电压也得到了大幅度提高,理想因子n值小于1.7,源漏击穿电压大于50 V/1 mA,栅源击穿电压大于40 V/1 mA,最终实现器件X波段连续波输出功率20 W,功率增益7 dB,功率密度8 W/mm.
採用雙檯麵隔離工藝,實現瞭器件有源區隔離,隔離電壓大于250 V/10μA.通過對金屬化前和介質膜澱積前的預處理過程的改進,實現瞭較理想的肖特基勢壘特性,電壓也得到瞭大幅度提高,理想因子n值小于1.7,源漏擊穿電壓大于50 V/1 mA,柵源擊穿電壓大于40 V/1 mA,最終實現器件X波段連續波輸齣功率20 W,功率增益7 dB,功率密度8 W/mm.
채용쌍태면격리공예,실현료기건유원구격리,격리전압대우250 V/10μA.통과대금속화전화개질막정적전적예처리과정적개진,실현료교이상적초특기세루특성,전압야득도료대폭도제고,이상인자n치소우1.7,원루격천전압대우50 V/1 mA,책원격천전압대우40 V/1 mA,최종실현기건X파단련속파수출공솔20 W,공솔증익7 dB,공솔밀도8 W/mm.
