半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2009年
9期
881-885
,共5页
漏极延伸金属氧化物半导体场效应晶体管%热载流子%热空穴%Kirk效应
漏極延伸金屬氧化物半導體場效應晶體管%熱載流子%熱空穴%Kirk效應
루겁연신금속양화물반도체장효응정체관%열재류자%열공혈%Kirk효응
研究了18 V漏极延伸金属氧化物半导体场效应晶体管(DEMOS)在高栅极电压下的热载流子注入效应.实验观察到两种失效模式,分别是热空穴的注入效应和高栅压导致的阈值电压增大,发现其对器件损伤分别局限在漏极区域和沟道区域,对器件的性能影响正好相反,前者减少了漏极串联电阻,而后者增大了沟道电阻.描述了这两个失效模式的物理过程,分析并讨论了器件参数的退化曲线.讨论了如何提高DEMOS在高栅压下的抗热载流子的能力,指出了漏极上方的氧化层的质量和栅极氧化层中自由电荷数量,对于提高器件的可靠性至关重要.
研究瞭18 V漏極延伸金屬氧化物半導體場效應晶體管(DEMOS)在高柵極電壓下的熱載流子註入效應.實驗觀察到兩種失效模式,分彆是熱空穴的註入效應和高柵壓導緻的閾值電壓增大,髮現其對器件損傷分彆跼限在漏極區域和溝道區域,對器件的性能影響正好相反,前者減少瞭漏極串聯電阻,而後者增大瞭溝道電阻.描述瞭這兩箇失效模式的物理過程,分析併討論瞭器件參數的退化麯線.討論瞭如何提高DEMOS在高柵壓下的抗熱載流子的能力,指齣瞭漏極上方的氧化層的質量和柵極氧化層中自由電荷數量,對于提高器件的可靠性至關重要.
연구료18 V루겁연신금속양화물반도체장효응정체관(DEMOS)재고책겁전압하적열재류자주입효응.실험관찰도량충실효모식,분별시열공혈적주입효응화고책압도치적역치전압증대,발현기대기건손상분별국한재루겁구역화구도구역,대기건적성능영향정호상반,전자감소료루겁천련전조,이후자증대료구도전조.묘술료저량개실효모식적물리과정,분석병토론료기건삼수적퇴화곡선.토론료여하제고DEMOS재고책압하적항열재류자적능력,지출료루겁상방적양화층적질량화책겁양화층중자유전하수량,대우제고기건적가고성지관중요.
