半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2009年
10期
960-964,1031
,共6页
谢鑫鹏%毕向东%胡俊%李国元
謝鑫鵬%畢嚮東%鬍俊%李國元
사흠붕%필향동%호준%리국원
芯片粘贴%空洞%温度场%热应力%有限元分析
芯片粘貼%空洞%溫度場%熱應力%有限元分析
심편점첩%공동%온도장%열응력%유한원분석
采用有限元方法,建立了功率器件封装的三维有限元模型,分析了封装体的温度场和应力场,讨论了芯片粘贴焊层厚度、空洞等因数对大功率器件封装温度场和应力场的影响.有限元结果表明,封装体的最高温度为73.45℃,位于芯片的上端表面,焊层热应力最大值为171 MPa,出现在芯片顶角的下面位置.拐角空洞对芯片最高温度影响最大,其次是中心空洞.空洞沿着对角线从中点移动到端点,芯片最高温度先减小后增加.焊层最大热应力出现在拐角空洞处,最大值为309 MPa.最后分析了芯片粘贴工艺中空洞形成的机理,并根据有限元分析结论对工艺的改善优化提出建议.
採用有限元方法,建立瞭功率器件封裝的三維有限元模型,分析瞭封裝體的溫度場和應力場,討論瞭芯片粘貼銲層厚度、空洞等因數對大功率器件封裝溫度場和應力場的影響.有限元結果錶明,封裝體的最高溫度為73.45℃,位于芯片的上耑錶麵,銲層熱應力最大值為171 MPa,齣現在芯片頂角的下麵位置.枴角空洞對芯片最高溫度影響最大,其次是中心空洞.空洞沿著對角線從中點移動到耑點,芯片最高溫度先減小後增加.銲層最大熱應力齣現在枴角空洞處,最大值為309 MPa.最後分析瞭芯片粘貼工藝中空洞形成的機理,併根據有限元分析結論對工藝的改善優化提齣建議.
채용유한원방법,건립료공솔기건봉장적삼유유한원모형,분석료봉장체적온도장화응력장,토론료심편점첩한층후도、공동등인수대대공솔기건봉장온도장화응력장적영향.유한원결과표명,봉장체적최고온도위73.45℃,위우심편적상단표면,한층열응력최대치위171 MPa,출현재심편정각적하면위치.괴각공동대심편최고온도영향최대,기차시중심공동.공동연착대각선종중점이동도단점,심편최고온도선감소후증가.한층최대열응력출현재괴각공동처,최대치위309 MPa.최후분석료심편점첩공예중공동형성적궤리,병근거유한원분석결론대공예적개선우화제출건의.
