稀有金属材料与工程
稀有金屬材料與工程
희유금속재료여공정
RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERNG
2011年
10期
1848-1851
,共4页
胡居广%林晓东%曹慧群%罗仲宽%李启文%张一倩%刁雄辉
鬍居廣%林曉東%曹慧群%囉仲寬%李啟文%張一倩%刁雄輝
호거엄%림효동%조혜군%라중관%리계문%장일천%조웅휘
CIGS薄膜%脉冲激光沉积%温度%扩散
CIGS薄膜%脈遲激光沉積%溫度%擴散
CIGS박막%맥충격광침적%온도%확산
利用脉冲激光沉积(PLD)法在40～600℃范围内,以石英为基底制备了系列铜铟镓硒(CIGS)薄膜.利用分光光度计,XRD,SEM,EDS等对薄膜进行表征.结果表明,薄膜都以(112)择优取向生长,在40～400℃范围内,温度对薄膜结晶质量、晶粒尺寸等影响不明显；温度达到600℃时,结晶质量、晶粒尺寸及薄膜的红外透光率等显著增加.认为这主要与Ga元素的扩散受温度的影响有关,温度越高,Ga元素有足够的能量进行充分扩散,并完成晶体结构重组,同时分析了Se元素含量随温度变化的原因.
利用脈遲激光沉積(PLD)法在40～600℃範圍內,以石英為基底製備瞭繫列銅銦鎵硒(CIGS)薄膜.利用分光光度計,XRD,SEM,EDS等對薄膜進行錶徵.結果錶明,薄膜都以(112)擇優取嚮生長,在40～400℃範圍內,溫度對薄膜結晶質量、晶粒呎吋等影響不明顯；溫度達到600℃時,結晶質量、晶粒呎吋及薄膜的紅外透光率等顯著增加.認為這主要與Ga元素的擴散受溫度的影響有關,溫度越高,Ga元素有足夠的能量進行充分擴散,併完成晶體結構重組,同時分析瞭Se元素含量隨溫度變化的原因.
이용맥충격광침적(PLD)법재40～600℃범위내,이석영위기저제비료계렬동인가서(CIGS)박막.이용분광광도계,XRD,SEM,EDS등대박막진행표정.결과표명,박막도이(112)택우취향생장,재40～400℃범위내,온도대박막결정질량、정립척촌등영향불명현；온도체도600℃시,결정질량、정립척촌급박막적홍외투광솔등현저증가.인위저주요여Ga원소적확산수온도적영향유관,온도월고,Ga원소유족구적능량진행충분확산,병완성정체결구중조,동시분석료Se원소함량수온도변화적원인.
