无机材料学报
無機材料學報
무궤재료학보
JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS
2004年
3期
701-704
,共4页
许仕龙%朱满康%黄安平%王波%严辉
許仕龍%硃滿康%黃安平%王波%嚴輝
허사룡%주만강%황안평%왕파%엄휘
Ta2O5%介电薄膜%晶化温度%衬底负偏压
Ta2O5%介電薄膜%晶化溫度%襯底負偏壓
Ta2O5%개전박막%정화온도%츤저부편압
采用磁控溅射法,在衬底温度为620°C时,通过引入合适的衬底负偏压(100～200V),获得了结晶良好的Ta2O5薄膜.衬底负偏压增强了正离子对衬底表面的轰击作用,加速了其在衬底表面的松弛扩散效应,从而降低了Ta2O5薄膜的晶化温度,改善了其结晶性.同时,C-V测试结果表明:衬底负偏压进一步改善了Ta2O5薄膜的介电性能.
採用磁控濺射法,在襯底溫度為620°C時,通過引入閤適的襯底負偏壓(100～200V),穫得瞭結晶良好的Ta2O5薄膜.襯底負偏壓增彊瞭正離子對襯底錶麵的轟擊作用,加速瞭其在襯底錶麵的鬆弛擴散效應,從而降低瞭Ta2O5薄膜的晶化溫度,改善瞭其結晶性.同時,C-V測試結果錶明:襯底負偏壓進一步改善瞭Ta2O5薄膜的介電性能.
채용자공천사법,재츤저온도위620°C시,통과인입합괄적츤저부편압(100～200V),획득료결정량호적Ta2O5박막.츤저부편압증강료정리자대츤저표면적굉격작용,가속료기재츤저표면적송이확산효응,종이강저료Ta2O5박막적정화온도,개선료기결정성.동시,C-V측시결과표명:츤저부편압진일보개선료Ta2O5박막적개전성능.
