物理学报
物理學報
물이학보
2006年
6期
2977-2981
,共5页
丁志博%姚淑德%王坤%程凯
丁誌博%姚淑德%王坤%程凱
정지박%요숙덕%왕곤%정개
GaN%高分辨X射线衍射%卢瑟福背散射/沟道%弹性应变
GaN%高分辨X射線衍射%盧瑟福揹散射/溝道%彈性應變
GaN%고분변X사선연사%로슬복배산사/구도%탄성응변
利用卢瑟福背散射/沟道技术和高分辨率X射线衍射技术对在Si(111)衬底上利用金属有机化合物气相外延技术(MOVPE)生长有多缓冲层的六方GaN外延膜进行结晶品质计算、晶格常数计算和应变分析.实验结果表明:GaN外延膜的结晶品质为xmin=1.54%,已达到完美晶体的结晶品质(xmin=1%-2%);GaN外延膜的水平方向和垂直方向晶格常数分别为:aepi=0.31903nm,cepi=0.51837nm,基本达到GaN单晶的理论晶格常数(a0=0.3189nm,c0=0.5186nm);通过计算GaN外延膜及各缓冲层的水平应变、垂直应变和四方畸变沿深度的变化,可得出弹性应变由衬底及各缓冲层向表面逐渐释放,并由拉应变转为压应变,最后在GaN外延层应变基本达到完全释放(eT=0).
利用盧瑟福揹散射/溝道技術和高分辨率X射線衍射技術對在Si(111)襯底上利用金屬有機化閤物氣相外延技術(MOVPE)生長有多緩遲層的六方GaN外延膜進行結晶品質計算、晶格常數計算和應變分析.實驗結果錶明:GaN外延膜的結晶品質為xmin=1.54%,已達到完美晶體的結晶品質(xmin=1%-2%);GaN外延膜的水平方嚮和垂直方嚮晶格常數分彆為:aepi=0.31903nm,cepi=0.51837nm,基本達到GaN單晶的理論晶格常數(a0=0.3189nm,c0=0.5186nm);通過計算GaN外延膜及各緩遲層的水平應變、垂直應變和四方畸變沿深度的變化,可得齣彈性應變由襯底及各緩遲層嚮錶麵逐漸釋放,併由拉應變轉為壓應變,最後在GaN外延層應變基本達到完全釋放(eT=0).
이용로슬복배산사/구도기술화고분변솔X사선연사기술대재Si(111)츤저상이용금속유궤화합물기상외연기술(MOVPE)생장유다완충층적륙방GaN외연막진행결정품질계산、정격상수계산화응변분석.실험결과표명:GaN외연막적결정품질위xmin=1.54%,이체도완미정체적결정품질(xmin=1%-2%);GaN외연막적수평방향화수직방향정격상수분별위:aepi=0.31903nm,cepi=0.51837nm,기본체도GaN단정적이론정격상수(a0=0.3189nm,c0=0.5186nm);통과계산GaN외연막급각완충층적수평응변、수직응변화사방기변연심도적변화,가득출탄성응변유츤저급각완충층향표면축점석방,병유랍응변전위압응변,최후재GaN외연층응변기본체도완전석방(eT=0).
