半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2007年
4期
288-292
,共5页
周春锋%林健%郭鑫%吴元庆%张亮%赖占平
週春鋒%林健%郭鑫%吳元慶%張亮%賴佔平
주춘봉%림건%곽흠%오원경%장량%뢰점평
砷化镓%碳%硼%杂质
砷化鎵%碳%硼%雜質
신화가%탄%붕%잡질
在非掺杂LEC(liquid encapsulated Czochralski)半绝缘GaAs晶体中碳和硼是主要的残留杂质,这两种杂质影响衬底的半绝缘性能和制造的器件性能.在分析GaAs中碳、硼杂质结合和分离机理基础上,采取真空烘烧、降低氧化硼温度、控制氧化硼水含量和在富砷熔体中生长晶体等措施,达到了对GaAs晶体中残留杂质硼和碳的控制.
在非摻雜LEC(liquid encapsulated Czochralski)半絕緣GaAs晶體中碳和硼是主要的殘留雜質,這兩種雜質影響襯底的半絕緣性能和製造的器件性能.在分析GaAs中碳、硼雜質結閤和分離機理基礎上,採取真空烘燒、降低氧化硼溫度、控製氧化硼水含量和在富砷鎔體中生長晶體等措施,達到瞭對GaAs晶體中殘留雜質硼和碳的控製.
재비참잡LEC(liquid encapsulated Czochralski)반절연GaAs정체중탄화붕시주요적잔류잡질,저량충잡질영향츤저적반절연성능화제조적기건성능.재분석GaAs중탄、붕잡질결합화분리궤리기출상,채취진공홍소、강저양화붕온도、공제양화붕수함량화재부신용체중생장정체등조시,체도료대GaAs정체중잔류잡질붕화탄적공제.
