电子与封装
電子與封裝
전자여봉장
EIECTRONICS AND PACKAGING
2008年
10期
17-20
,共4页
带隙基准%AC/DC%温度系数%启动电路
帶隙基準%AC/DC%溫度繫數%啟動電路
대극기준%AC/DC%온도계수%계동전로
在对传统带隙基准源基本原理分析的基础上,提出了一种适用于单片集成AC/DC变换器的带隙基准电路.该电路采用无运放的带隙结构,避免了运放失调电压对基准源的影响.基于LITEON 1 μm HV BiCMOS工艺,Hspice仿真结果表明,该基准源产生1.238V的基准电压,电源抑制比高达60dB,在-40℃~140℃温度范围内,基准电压仅变化3.9mV,温度系数为16.6×10-6/℃,完全满足AC/DC变换器对其性能的要求.
在對傳統帶隙基準源基本原理分析的基礎上,提齣瞭一種適用于單片集成AC/DC變換器的帶隙基準電路.該電路採用無運放的帶隙結構,避免瞭運放失調電壓對基準源的影響.基于LITEON 1 μm HV BiCMOS工藝,Hspice倣真結果錶明,該基準源產生1.238V的基準電壓,電源抑製比高達60dB,在-40℃~140℃溫度範圍內,基準電壓僅變化3.9mV,溫度繫數為16.6×10-6/℃,完全滿足AC/DC變換器對其性能的要求.
재대전통대극기준원기본원리분석적기출상,제출료일충괄용우단편집성AC/DC변환기적대극기준전로.해전로채용무운방적대극결구,피면료운방실조전압대기준원적영향.기우LITEON 1 μm HV BiCMOS공예,Hspice방진결과표명,해기준원산생1.238V적기준전압,전원억제비고체60dB,재-40℃~140℃온도범위내,기준전압부변화3.9mV,온도계수위16.6×10-6/℃,완전만족AC/DC변환기대기성능적요구.