科技信息
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과기신식
SCIENTIFIC & TECHNICAL INFORMATION
2008年
33期
39,42
,共2页
铌酸锂晶体%体全息存储%角度复用
鈮痠鋰晶體%體全息存儲%角度複用
니산리정체%체전식존저%각도복용
用提拉法生长的Ce(0.09%),Cu(0.01%),LiNbO3晶体和Zn(3%),Fe(0.09%),LiNbO3晶体,切割后分别对晶体极化氧化处理,对晶体的抗光致散射能力和衍射效率测试后,分别进行单幅图像存储和多幅图像的复用存储.实验表明,晶体的抗光致散射能力和衍射效率直接影响体全息存储的效果.
用提拉法生長的Ce(0.09%),Cu(0.01%),LiNbO3晶體和Zn(3%),Fe(0.09%),LiNbO3晶體,切割後分彆對晶體極化氧化處理,對晶體的抗光緻散射能力和衍射效率測試後,分彆進行單幅圖像存儲和多幅圖像的複用存儲.實驗錶明,晶體的抗光緻散射能力和衍射效率直接影響體全息存儲的效果.
용제랍법생장적Ce(0.09%),Cu(0.01%),LiNbO3정체화Zn(3%),Fe(0.09%),LiNbO3정체,절할후분별대정체겁화양화처리,대정체적항광치산사능력화연사효솔측시후,분별진행단폭도상존저화다폭도상적복용존저.실험표명,정체적항광치산사능력화연사효솔직접영향체전식존저적효과.
