真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2009年
1期
52-55
,共4页
王敬蕊%叶志镇%杨志祥%马全宝%姜静%胡少华%何海平
王敬蕊%葉誌鎮%楊誌祥%馬全寶%薑靜%鬍少華%何海平
왕경예%협지진%양지상%마전보%강정%호소화%하해평
Ni催化%GaN纳米棒%生长机制
Ni催化%GaN納米棒%生長機製
Ni최화%GaN납미봉%생장궤제
本文分别用三甲基镓和高纯蓝氨作为Ga源和N源,Ni(NO3)2作为催化剂,在Si(111)衬底上制得针尖状GaN纳米棒.测试结果表明制备的GaN纳米棒是沿<100>方向生长的纯六方相结构.通过对生长过程的分析,我们认为GaN纳米棒的生长过程不仅受到VLS机制的控制,而是多种生长方式共同作用的结果.在反应的初期,GaN纳米棒的生长遵从VLS机制;但是随着GaN纳米棒轴向和径向的生长,GaN纳米结构中纳米棒端部的Ni催化剂纳米球会被"挤"出顶部,在较大的气流流速下被吹落至衬底上,失去催化剂诱导作用的纳米棒随后自行外延生长;而吹落至衬底上的Ni催化剂纳米球成为第二次生长有利的形核位置,且再次生长出粗短的纳米棒.因此不同生长机制得到的GaN纳米棒交织在一起,形成了最终的GaN纳米结构.
本文分彆用三甲基鎵和高純藍氨作為Ga源和N源,Ni(NO3)2作為催化劑,在Si(111)襯底上製得針尖狀GaN納米棒.測試結果錶明製備的GaN納米棒是沿<100>方嚮生長的純六方相結構.通過對生長過程的分析,我們認為GaN納米棒的生長過程不僅受到VLS機製的控製,而是多種生長方式共同作用的結果.在反應的初期,GaN納米棒的生長遵從VLS機製;但是隨著GaN納米棒軸嚮和徑嚮的生長,GaN納米結構中納米棒耑部的Ni催化劑納米毬會被"擠"齣頂部,在較大的氣流流速下被吹落至襯底上,失去催化劑誘導作用的納米棒隨後自行外延生長;而吹落至襯底上的Ni催化劑納米毬成為第二次生長有利的形覈位置,且再次生長齣粗短的納米棒.因此不同生長機製得到的GaN納米棒交織在一起,形成瞭最終的GaN納米結構.
본문분별용삼갑기가화고순람안작위Ga원화N원,Ni(NO3)2작위최화제,재Si(111)츤저상제득침첨상GaN납미봉.측시결과표명제비적GaN납미봉시연<100>방향생장적순륙방상결구.통과대생장과정적분석,아문인위GaN납미봉적생장과정불부수도VLS궤제적공제,이시다충생장방식공동작용적결과.재반응적초기,GaN납미봉적생장준종VLS궤제;단시수착GaN납미봉축향화경향적생장,GaN납미결구중납미봉단부적Ni최화제납미구회피"제"출정부,재교대적기류류속하피취락지츤저상,실거최화제유도작용적납미봉수후자행외연생장;이취락지츤저상적Ni최화제납미구성위제이차생장유리적형핵위치,차재차생장출조단적납미봉.인차불동생장궤제득도적GaN납미봉교직재일기,형성료최종적GaN납미결구.
