电子工业专用设备
電子工業專用設備
전자공업전용설비
EQUIPMENT FOR ELECTRONIC PRODUCTS MANUFACTURING
2009年
1期
15-18,35
,共5页
周国安%柳滨%王学军%种宝春%詹阳
週國安%柳濱%王學軍%種寶春%詹暘
주국안%류빈%왕학군%충보춘%첨양
化学机械平坦化%光学干涉法%椭圆偏振法%扫描电子显微镜%原子力显微镜%散射探测仪
化學機械平坦化%光學榦涉法%橢圓偏振法%掃描電子顯微鏡%原子力顯微鏡%散射探測儀
화학궤계평탄화%광학간섭법%타원편진법%소묘전자현미경%원자력현미경%산사탐측의
综述了CMP后的晶圆测量方法,比较指出:光学干涉法适宜于测量较厚的薄膜,而椭圆偏振法精度较高.但成本高昂,适宜于测量薄的薄膜.CMP后需要检测晶圆的表面状况,列举了常用的扫描电子显微镜、原子力显微镜和光散射探测仪.扫描电子显微镜常用于特征线宽的测量,其精度可达4 nm;原子力显微镜是根据范德华力的原理制造,其探测精度高达0.1 nm;但二者最大的缺陷就是操作复杂,成像十分费时.散射探测仪根据光的散射理论制造,可以快捷地全表面成二维图像.是值得推荐的一种测量手段.最后,指出今后的测量技术对半导体工艺的影响.
綜述瞭CMP後的晶圓測量方法,比較指齣:光學榦涉法適宜于測量較厚的薄膜,而橢圓偏振法精度較高.但成本高昂,適宜于測量薄的薄膜.CMP後需要檢測晶圓的錶麵狀況,列舉瞭常用的掃描電子顯微鏡、原子力顯微鏡和光散射探測儀.掃描電子顯微鏡常用于特徵線寬的測量,其精度可達4 nm;原子力顯微鏡是根據範德華力的原理製造,其探測精度高達0.1 nm;但二者最大的缺陷就是操作複雜,成像十分費時.散射探測儀根據光的散射理論製造,可以快捷地全錶麵成二維圖像.是值得推薦的一種測量手段.最後,指齣今後的測量技術對半導體工藝的影響.
종술료CMP후적정원측량방법,비교지출:광학간섭법괄의우측량교후적박막,이타원편진법정도교고.단성본고앙,괄의우측량박적박막.CMP후수요검측정원적표면상황,열거료상용적소묘전자현미경、원자력현미경화광산사탐측의.소묘전자현미경상용우특정선관적측량,기정도가체4 nm;원자력현미경시근거범덕화력적원리제조,기탐측정도고체0.1 nm;단이자최대적결함취시조작복잡,성상십분비시.산사탐측의근거광적산사이론제조,가이쾌첩지전표면성이유도상.시치득추천적일충측량수단.최후,지출금후적측량기술대반도체공예적영향.
