西安电子科技大学学报(自然科学版)
西安電子科技大學學報(自然科學版)
서안전자과기대학학보(자연과학판)
JOURNAL OF XIDIAN UNIVERSITY
2011年
1期
54-58,65
,共6页
史凌峰%王庆斌%许文丹%苗紫晖
史凌峰%王慶斌%許文丹%苗紫暉
사릉봉%왕경빈%허문단%묘자휘
有源功率因数校正%低功耗%电平移位%功率MOSFET
有源功率因數校正%低功耗%電平移位%功率MOSFET
유원공솔인수교정%저공모%전평이위%공솔MOSFET
设计了一款用于驱动有源功率因数校正外部功率MOSFET的驱动电路.该电路包括电平移位和图腾柱输出级两个部分.电平移位采用电流镜结构,通过控制偏置电流降低电路功耗.图腾柱输出级通过加入死区时间降低功耗,并将高压P管的栅电压箝位在6V和11V之间,不仅能够降低功耗,也节省了版图面积.基于0.4μm BCD工艺,采用HSPICE仿真结果表明,在VDD为14V,开关频率为75 kHz时,整体电路的功耗约为7.34mW,并节约了15%的版图面积.
設計瞭一款用于驅動有源功率因數校正外部功率MOSFET的驅動電路.該電路包括電平移位和圖騰柱輸齣級兩箇部分.電平移位採用電流鏡結構,通過控製偏置電流降低電路功耗.圖騰柱輸齣級通過加入死區時間降低功耗,併將高壓P管的柵電壓箝位在6V和11V之間,不僅能夠降低功耗,也節省瞭版圖麵積.基于0.4μm BCD工藝,採用HSPICE倣真結果錶明,在VDD為14V,開關頻率為75 kHz時,整體電路的功耗約為7.34mW,併節約瞭15%的版圖麵積.
설계료일관용우구동유원공솔인수교정외부공솔MOSFET적구동전로.해전로포괄전평이위화도등주수출급량개부분.전평이위채용전류경결구,통과공제편치전류강저전로공모.도등주수출급통과가입사구시간강저공모,병장고압P관적책전압겸위재6V화11V지간,불부능구강저공모,야절성료판도면적.기우0.4μm BCD공예,채용HSPICE방진결과표명,재VDD위14V,개관빈솔위75 kHz시,정체전로적공모약위7.34mW,병절약료15%적판도면적.
