量子电子学报
量子電子學報
양자전자학보
CHINESE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS
2005年
1期
102-105
,共4页
陈俊芳%吴先球%樊双利%王鑫%任兆杏
陳俊芳%吳先毬%樊雙利%王鑫%任兆杏
진준방%오선구%번쌍리%왕흠%임조행
光电子学%ECR-PECVD%氮化硅钝化膜%芯片
光電子學%ECR-PECVD%氮化硅鈍化膜%芯片
광전자학%ECR-PECVD%담화규둔화막%심편
利用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积技术在超高频大功率晶体管芯片表面沉积Si3N4钝化膜,实现了芯片的Si3N4薄膜钝化.对钝化前后的芯片测试表明,芯片经钝化后电特性有较好地改善,提高了反向击穿电压,降低了反向漏电流,提高了芯片的成品率.
利用電子迴鏇共振等離子體增彊化學氣相沉積技術在超高頻大功率晶體管芯片錶麵沉積Si3N4鈍化膜,實現瞭芯片的Si3N4薄膜鈍化.對鈍化前後的芯片測試錶明,芯片經鈍化後電特性有較好地改善,提高瞭反嚮擊穿電壓,降低瞭反嚮漏電流,提高瞭芯片的成品率.
이용전자회선공진등리자체증강화학기상침적기술재초고빈대공솔정체관심편표면침적Si3N4둔화막,실현료심편적Si3N4박막둔화.대둔화전후적심편측시표명,심편경둔화후전특성유교호지개선,제고료반향격천전압,강저료반향루전류,제고료심편적성품솔.
