电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2005年
2期
13-15
,共3页
杨春霞%周洪庆%刘敏%吴红忠%梁斌斌%金宇龙
楊春霞%週洪慶%劉敏%吳紅忠%樑斌斌%金宇龍
양춘하%주홍경%류민%오홍충%량빈빈%금우룡
无机非金属材料%钛酸锶钡/氧化镁%铁电材料%移相器%介电性能
無機非金屬材料%鈦痠鍶鋇/氧化鎂%鐵電材料%移相器%介電性能
무궤비금속재료%태산송패/양화미%철전재료%이상기%개전성능
采用固相反应法制备了钛酸锶钡/氧化镁(BSTO/MgO)铁电移相材料.研究了材料的相组成、显微结构和介电性能.经测试分析表明:MgO与BSTO复合后,并没有出现二次相,且晶粒形状分布均一,粒度均匀;w(MgO)为50%时,材料的低频(10 kHz)εr为157,tgδ为0.000 6,高频(约2.5 GHz)εr为120,tgδ为0.008;4 000 V/mm偏压下的调谐性为17.5%,基本上达到了相控阵移相器在高频下工作的要求.
採用固相反應法製備瞭鈦痠鍶鋇/氧化鎂(BSTO/MgO)鐵電移相材料.研究瞭材料的相組成、顯微結構和介電性能.經測試分析錶明:MgO與BSTO複閤後,併沒有齣現二次相,且晶粒形狀分佈均一,粒度均勻;w(MgO)為50%時,材料的低頻(10 kHz)εr為157,tgδ為0.000 6,高頻(約2.5 GHz)εr為120,tgδ為0.008;4 000 V/mm偏壓下的調諧性為17.5%,基本上達到瞭相控陣移相器在高頻下工作的要求.
채용고상반응법제비료태산송패/양화미(BSTO/MgO)철전이상재료.연구료재료적상조성、현미결구화개전성능.경측시분석표명:MgO여BSTO복합후,병몰유출현이차상,차정립형상분포균일,립도균균;w(MgO)위50%시,재료적저빈(10 kHz)εr위157,tgδ위0.000 6,고빈(약2.5 GHz)εr위120,tgδ위0.008;4 000 V/mm편압하적조해성위17.5%,기본상체도료상공진이상기재고빈하공작적요구.
