微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2006年
5期
626-629
,共4页
RFLDMOS%准饱和%漂移区%场氧化层
RFLDMOS%準飽和%漂移區%場氧化層
RFLDMOS%준포화%표이구%장양화층
介绍了一种改进型RF LDMOS器件.通过对传统RF LDMOS器件的工艺流程进行修改,并在漂移区上方引入场氧化层结构,改善了器件的准饱和现象.当工作在Vgs=5 V,Vds=10 V条件下时,与传统RF LDMOS器件相比,改进后RF LDMOS器件的跨导提高约81%,截止频率提高约89%,击穿电压提高约15%.
介紹瞭一種改進型RF LDMOS器件.通過對傳統RF LDMOS器件的工藝流程進行脩改,併在漂移區上方引入場氧化層結構,改善瞭器件的準飽和現象.噹工作在Vgs=5 V,Vds=10 V條件下時,與傳統RF LDMOS器件相比,改進後RF LDMOS器件的跨導提高約81%,截止頻率提高約89%,擊穿電壓提高約15%.
개소료일충개진형RF LDMOS기건.통과대전통RF LDMOS기건적공예류정진행수개,병재표이구상방인입장양화층결구,개선료기건적준포화현상.당공작재Vgs=5 V,Vds=10 V조건하시,여전통RF LDMOS기건상비,개진후RF LDMOS기건적과도제고약81%,절지빈솔제고약89%,격천전압제고약15%.
