微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2008年
3期
404-406,410
,共4页
逐次逼近%A/D转换器%分段结构%CMOS
逐次逼近%A/D轉換器%分段結構%CMOS
축차핍근%A/D전환기%분단결구%CMOS
设计了一种高精度A/D转换器电路.为了提高匹配精度,内部DAC采用一种电容DAC的新型分段结构;通过版图设计优化,可在不进行数字校正的情况下达到14位的分辨率,最大程度地减小了设计复杂性和功耗.整体电路采用0.6 μm标准CMOS工艺线进行投片验证,实现了14位转换,转换时间达到2.5 μs.
設計瞭一種高精度A/D轉換器電路.為瞭提高匹配精度,內部DAC採用一種電容DAC的新型分段結構;通過版圖設計優化,可在不進行數字校正的情況下達到14位的分辨率,最大程度地減小瞭設計複雜性和功耗.整體電路採用0.6 μm標準CMOS工藝線進行投片驗證,實現瞭14位轉換,轉換時間達到2.5 μs.
설계료일충고정도A/D전환기전로.위료제고필배정도,내부DAC채용일충전용DAC적신형분단결구;통과판도설계우화,가재불진행수자교정적정황하체도14위적분변솔,최대정도지감소료설계복잡성화공모.정체전로채용0.6 μm표준CMOS공예선진행투편험증,실현료14위전환,전환시간체도2.5 μs.