真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2009年
2期
119-124
,共6页
等离子体增强化学气相沉积%纳米非晶硅%硼掺杂%掺杂比%光学带隙
等離子體增彊化學氣相沉積%納米非晶硅%硼摻雜%摻雜比%光學帶隙
등리자체증강화학기상침적%납미비정규%붕참잡%참잡비%광학대극
本文通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法沉积p型纳米非晶硅薄膜(na-si:H),系统地研究了掺杂气体比(B2H6/SIH4)、沉积温度、射频电源功率对薄膜结构、光学、电学性能的影响.研究表明,轻掺硼有利于非晶硅薄膜晶化,但随着掺硼量的增加,硼的"毒化"作用又使薄膜变为非晶态;与p型a_si:H相比,掺硼纳米硅薄膜的光学带隙Eopt较高,电导率较高,电导激活能较低,是一种很有潜力的太阳能电池窗口层材料.
本文通過等離子體增彊化學氣相沉積(PECVD)法沉積p型納米非晶硅薄膜(na-si:H),繫統地研究瞭摻雜氣體比(B2H6/SIH4)、沉積溫度、射頻電源功率對薄膜結構、光學、電學性能的影響.研究錶明,輕摻硼有利于非晶硅薄膜晶化,但隨著摻硼量的增加,硼的"毒化"作用又使薄膜變為非晶態;與p型a_si:H相比,摻硼納米硅薄膜的光學帶隙Eopt較高,電導率較高,電導激活能較低,是一種很有潛力的太暘能電池窗口層材料.
본문통과등리자체증강화학기상침적(PECVD)법침적p형납미비정규박막(na-si:H),계통지연구료참잡기체비(B2H6/SIH4)、침적온도、사빈전원공솔대박막결구、광학、전학성능적영향.연구표명,경참붕유리우비정규박막정화,단수착참붕량적증가,붕적"독화"작용우사박막변위비정태;여p형a_si:H상비,참붕납미규박막적광학대극Eopt교고,전도솔교고,전도격활능교저,시일충흔유잠력적태양능전지창구층재료.
