CAJ | 학술논문

万方数据

真空 진공
VACUUM
2010年 2期 31-33 ,共3页

杨再荣%周勋%潘金福%罗子江%贺业全%何浩%丁召

양재영%주훈%반금복%라자강%하업전%하호%정소

分子束外延%表面形貌%反射式高能电子衍射%强度振荡%生长模式分子束外延%錶麵形貌%反射式高能電子衍射%彊度振盪%生長模式
분자속외연%표면형모%반사식고능전자연사%강도진탕%생장모식

本文通过在GaAs(100)单晶衬底上MBE生长GaAs过程中形成的RHEED衍射图样,对GaAs薄膜的表面形貌进行研究.分析GaAs表面粗糙和生长时不发生RHEED强度振荡的原因.讨论在生长GaAs时出现In(Ga)As/GaAs(100)体系的RHEED衍射图样这种异常现象的原因.
본문통과재GaAs(100)단정츤저상MBE생장GaAs과정중형성적RHEED연사도양,대GaAs박막적표면형모진행연구.분석GaAs표면조조화생장시불발생RHEED강도진탕적원인.토론재생장GaAs시출현In(Ga)As/GaAs(100)체계적RHEED연사도양저충이상현상적원인.