人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2011年
4期
882-886
,共5页
程彬%沈鸿烈%吴天如%丁滔%肖少文%陆婷
程彬%瀋鴻烈%吳天如%丁滔%肖少文%陸婷
정빈%침홍렬%오천여%정도%초소문%륙정
热丝CVD%非晶碳化硅%光电性能
熱絲CVD%非晶碳化硅%光電性能
열사CVD%비정탄화규%광전성능
本文以硅烷、乙炔和氢气为气源,采用热丝CVD法制备了非晶碳化硅薄膜.通过FITR、紫外-可见光分光光度计、四探针仪、台阶仪和霍尔效应测试仪对薄膜的光学和电学性能进行了系统的研究.结果表明,随着乙炔气体流量的增加,薄膜中碳含量和薄膜光学带隙呈现逐渐递增的趋势,其中光学带隙由1.7 eV上升到2.1 eV.同时还发现B掺杂薄膜的空穴浓度随着B2H6与硅烷流量比的增大而显著增大,而霍尔迁移率的变化趋势则与空穴浓度的变化趋势相反,与二者对应的总体效果是薄膜的电阻率首先显著下降,然后缓慢下降至最小值1.94Ω·cm,此后电阻率略有上升.
本文以硅烷、乙炔和氫氣為氣源,採用熱絲CVD法製備瞭非晶碳化硅薄膜.通過FITR、紫外-可見光分光光度計、四探針儀、檯階儀和霍爾效應測試儀對薄膜的光學和電學性能進行瞭繫統的研究.結果錶明,隨著乙炔氣體流量的增加,薄膜中碳含量和薄膜光學帶隙呈現逐漸遞增的趨勢,其中光學帶隙由1.7 eV上升到2.1 eV.同時還髮現B摻雜薄膜的空穴濃度隨著B2H6與硅烷流量比的增大而顯著增大,而霍爾遷移率的變化趨勢則與空穴濃度的變化趨勢相反,與二者對應的總體效果是薄膜的電阻率首先顯著下降,然後緩慢下降至最小值1.94Ω·cm,此後電阻率略有上升.
본문이규완、을결화경기위기원,채용열사CVD법제비료비정탄화규박막.통과FITR、자외-가견광분광광도계、사탐침의、태계의화곽이효응측시의대박막적광학화전학성능진행료계통적연구.결과표명,수착을결기체류량적증가,박막중탄함량화박막광학대극정현축점체증적추세,기중광학대극유1.7 eV상승도2.1 eV.동시환발현B참잡박막적공혈농도수착B2H6여규완류량비적증대이현저증대,이곽이천이솔적변화추세칙여공혈농도적변화추세상반,여이자대응적총체효과시박막적전조솔수선현저하강,연후완만하강지최소치1.94Ω·cm,차후전조솔략유상승.
