高等学校化学学报
高等學校化學學報
고등학교화학학보
CHEMICAL JOURNAL OF CHINESE UNIVERSITIES
2011年
12期
2739-2742
,共4页
黄灿领%胡彬彬%王广君%李洪伟%龚时江%杜祖亮
黃燦領%鬍彬彬%王廣君%李洪偉%龔時江%杜祖亮
황찬령%호빈빈%왕엄군%리홍위%공시강%두조량
特殊脉冲电沉积%真空蒸镀%CuInSe2薄膜%Cu (InAl) Se2薄膜
特殊脈遲電沉積%真空蒸鍍%CuInSe2薄膜%Cu (InAl) Se2薄膜
특수맥충전침적%진공증도%CuInSe2박막%Cu (InAl) Se2박막
以特殊脉冲电沉积方法制备CuInSe2(CIS)前驱体薄膜,通过真空蒸镀法在CIS薄膜上沉积Al膜,经硒化退火后在氧化铟锡(fro)基底上制备了Cu(InAl) Se2(CIAS)薄膜.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱(EDS)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)对其形貌、结构、成分及光学吸收性质进行了表征.结果表明,制备的CIAS薄膜颗粒均匀,表面平整致密,呈黄铜矿结构.薄膜在可见光区具有良好的吸收,带隙约为1.65 eV.
以特殊脈遲電沉積方法製備CuInSe2(CIS)前驅體薄膜,通過真空蒸鍍法在CIS薄膜上沉積Al膜,經硒化退火後在氧化銦錫(fro)基底上製備瞭Cu(InAl) Se2(CIAS)薄膜.採用掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線能譜(EDS)、X射線衍射(XRD)、X射線光電子能譜(XPS)、紫外-可見吸收光譜(UV-Vis)對其形貌、結構、成分及光學吸收性質進行瞭錶徵.結果錶明,製備的CIAS薄膜顆粒均勻,錶麵平整緻密,呈黃銅礦結構.薄膜在可見光區具有良好的吸收,帶隙約為1.65 eV.
이특수맥충전침적방법제비CuInSe2(CIS)전구체박막,통과진공증도법재CIS박막상침적Al막,경서화퇴화후재양화인석(fro)기저상제비료Cu(InAl) Se2(CIAS)박막.채용소묘전자현미경(SEM)、X사선능보(EDS)、X사선연사(XRD)、X사선광전자능보(XPS)、자외-가견흡수광보(UV-Vis)대기형모、결구、성분급광학흡수성질진행료표정.결과표명,제비적CIAS박막과립균균,표면평정치밀,정황동광결구.박막재가견광구구유량호적흡수,대극약위1.65 eV.
