微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2012年
2期
146-149
,共4页
朱治鼎%彭晓宏%吕本强%李晓庆
硃治鼎%彭曉宏%呂本彊%李曉慶
주치정%팽효굉%려본강%리효경
折叠式共源共栅%运算放大器%模拟集成电路
摺疊式共源共柵%運算放大器%模擬集成電路
절첩식공원공책%운산방대기%모의집성전로
折叠式共源共栅结构能够提供足够高的增益,并且能够增大带宽、提高共模抑制比和电源电压抑制比.基于Chartered 0.35 μm工艺,设计了一种折叠式共源共栅结构的差分输入运算放大器,给出了整个电路结构.Spectre仿真结果表明,该电路在3.3V电源电压下直流开环增益为121.5dB、单位增益带宽为12 MHz、相位裕度为61.4°、共模抑制比为130.1dB、电源电压抑制比为105 dB,达到了预期的设计目标.
摺疊式共源共柵結構能夠提供足夠高的增益,併且能夠增大帶寬、提高共模抑製比和電源電壓抑製比.基于Chartered 0.35 μm工藝,設計瞭一種摺疊式共源共柵結構的差分輸入運算放大器,給齣瞭整箇電路結構.Spectre倣真結果錶明,該電路在3.3V電源電壓下直流開環增益為121.5dB、單位增益帶寬為12 MHz、相位裕度為61.4°、共模抑製比為130.1dB、電源電壓抑製比為105 dB,達到瞭預期的設計目標.
절첩식공원공책결구능구제공족구고적증익,병차능구증대대관、제고공모억제비화전원전압억제비.기우Chartered 0.35 μm공예,설계료일충절첩식공원공책결구적차분수입운산방대기,급출료정개전로결구.Spectre방진결과표명,해전로재3.3V전원전압하직류개배증익위121.5dB、단위증익대관위12 MHz、상위유도위61.4°、공모억제비위130.1dB、전원전압억제비위105 dB,체도료예기적설계목표.
